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电源纹波测试方法的改进
设计实现:
1、最近本人参与一片DC/DC 芯片的研制,该项目中将输入为 5V 的PVDD 电压经过同步
整流BUCK 拓扑的转换为1.8V电源的作用,实现方案因为工作内容无法明示,但是基
本拓扑如下所示(应用网络图片,实际芯片为PN管各一):
该方案为电流模控制的同步降压电路,即采用输出电压和电感电流两路反馈信号控制的
方法,可以实现对输出电压变化较快的响应,同时也简化了频率补偿的方案。通过对PMOS
开关管和NMOS 整流周期性的打开和关断,减小能量损失,提高转换效率。
开关通断的频率是固定的(本设计将采用1.2MHz),PMOS 开关管在每个周期开始时打
开,其关断时间由输出电压和输入电压决定的比例决定,稳态时(负载较重时),
Vout
D=
D Vin
D
功率管的驱动信号的占空比DD:
Vin−Vout
∆i = ⋅DT
L s
电感电流的纹波: L (Ts为振荡周期)
∆i ⋅T
∆V= L s
8C
电容的纹波电压: f
在输入电源快速上电时,DC/DC 在启动时在功率管内会产生较大的电流以及产生输出
电压的过冲,为了避免这种情况,提高芯片的可靠性,增加软启动电路,使DC/DC启动时,
输出电压能够平稳建立。
该方案的好处在于用 MOS 取代基本BUCK 的整流二极管,提高低压大电流时候的效
率。但是驱动比较复杂,空载损耗比较大。多路并联将比较困难。
Ling.Ju
样片实验:
实验中DC/DC功能基本正确,但有以下几个问题存在:
� 测试1.8V输出纹波较大(稍后将作解释)
� OSC 环振时钟可能停止震荡(由于地上干扰或大电流产生的磁场变化影响引起)
� 地上干扰较为严重,影响其他(ADC/DAC/PLL 模数混合电路)模块的正常使用
1 TAN
1 TAN
11、当使用TTAANN作为输出级电容,分别测试不同负载下时有以下波形:
20mA负载(运行在DCM 非连续工作模式下) 50mA 负载(运行在CCM 连续工作模式下)
纹波约200mV,过冲约600mV 纹波约200mV,过冲约600mV
从CCM 模式下进行评估,因纹波斜率比较陡,在开关瞬间,有直上笔直下降的趋势,
可以推断,该纹波可能由于电容ESR 较大引起。
2
2
22、当使用陶瓷电容作为输出级电容,分别测试不同负载下时有以下波形:
10mA负载(运行在DCM 非连续工作模式下) 50mA 负载(运行在CCM 连续工作模式下)
纹波约50mV,过冲约300mV 纹波约50mV,过冲约300mV
从CCM 模式下进行评估,纹波数值上有所减小,在开关瞬间直上直下的趋势由于振铃
(噪声的干扰),不明显。
Ling.Ju
以上两种测量方法皆是使用示波器探头做直接测试,等效图如下:
这种方法上存在因示波器探头地线较长,与被测部分形成一个空间耦合的区域,将这一
部分的电磁信号能量叠加到待测信号中,而在开关管的瞬间,这一部分能量被释放,导致振
铃的形成。
而TI 等大厂给出的测试条件中,要求尽可能避免此地线夹头形成回路。
等效的方法如图所示:
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