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光电子领域,光纤制造,光纤拉丝以及预制棒原理
光纤材料及其制造工艺
中文核心期刊
PCVD低水峰光纤的制备与性能
1 2 2 2
韩庆荣 谢 康 张树强 罗 杰
, , ,
武汉理工大学材料学院 武汉 长飞光纤光缆有限公司研发部 武汉
( ; , )
1. , 4300702. 430073
摘要 介绍了PCVD低水峰光纤生产工艺和其材料组 芯棒的工艺 一根洁净的石英管作为 沉积的衬
: : PCVD
成 结构及性能 在生产普通单模光纤的基础上 通过 管 被固定在真空泵与气流控制器 之间 该装
、 , , , ( ) 。
MFC
优化PCVD工艺 成功抑制了普通单模光纤在 1383nm 置可控制四氯化硅 四氯化锗 氟里昂气
, ( )、 、
SiCl (GeCl)
4 4
由于羟基 OH吸收造成的水峰损耗 光纤中功能梯度 体 与氧气 充分精确地按预先设定的比例混
( ) 。 (CF) (O)
2 6 2
的芯层和光学包层 高纯均匀的机械包层和性能优越 合 并在特定的低压下注入衬管内 往返移动的频率
、 , 。
的双层涂覆层 使PCVD低水峰光纤各项性能指标全 为 的 微波 谐振腔包围着部分衬管 通过波
, 2.46GHz ( ) ,
面达到或优于最严格的 和 导可超过 的微波能量耦合至气体混合物 微波
ITU-TG.652.C/D IEC 5000W 。
60793-2-50B.1.3光纤标准要求 能在石英管内产生出一个局部非等温 低压的等离子
。 、
关键词 PCVD低水峰光纤 PCVD工艺 ITU-TG.652. 体 等离子体内气体相互作用 发生反应 此时的等离
: ; ; 。 , 。
C/D IEC60793-2-50B.1.3 子体电子运动产生等量于 的高温 远远高于
; 60000℃
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