2012考研—中科院《半导体物理》回忆版.docVIP

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一、名词解释:1,有效质量;2,达姆表面态;3,电导有效质量;4,费米统计分布函数;5,禁带变窄效应;6,半导体超晶格;7,赛贝克效应;8,手机辐射;另外两个忘了 二、解释扩散电容和势垒电容,并说明“反向偏压”(不确定)和高频信号作用时分别是哪种电容起主要作用。 三、证明半导体中处于波矢 –k 和 k的电子的速度等大反向,即。证明无外加电压时半导体的电流密度为零。 四、已知n型半导体中的施主浓度,以及少量的受主的浓度,求弱电离条件下半导体中的电子浓度(远小于),已知导带底,施主能级,导带有效状态密度。 五、恒定光照下,已知在半导体表面注入的少子浓度,勺子寿命,勺子迁移率, (1)、求扩散系数; (2)、求距离表面二倍扩散长度处的净复合率; (3)、求距离表面二倍扩散长度处的电流密度。 六、证明以P型材料为衬底的MOS结构中电势的关系式:,(为势垒区边界, )

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