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5.4.1 常用静态RAM 目前常用的静态RAM芯片有Intel公司的6116、 6264、62128 和62256。下面列出三种常用SRAM的主要技术特性如表所示。 6116 6264 62256 容量/KB 2 8 32 引脚数 24 28 28 工作电压/V 5 5 5 典型工作电流/mA 35 40 8 典型维持电流/mA 5 2 0.5 存取时间/ns 100~200(由产品型号而定) 主要特性 型号 5.4.2 数据存储器的扩展方法 (1)地址线和数据线的连接:与扩展程序存储器的连接方法相同。 (2)控制线的连接 ALE:与地址锁存器的G相连接; RD(P3.7):读控制信号,与RAM芯片的RD或OE连接。 WR(P3.6):写控制信号,与RAM芯片的WE连接。 5.4.3 访问片外RAM单元指令 访问片外RAM单元指令只能用下列四条指令: MOVX A,@Ri MOVX @Ri,A ;访问片外RAM页内单元 MOVX A,@DPTR MOVX @DPTR,A ;访问片外RAM任意单元 当CPU执行上述指令时,自动产生有效的读写控制信号从RD 和WR引脚输出。 5.4.4 数据存储器扩展实例 【例】用两片6264芯片扩展16KB的外部数据存储器。 解: 分析:在扩展数据存储器时,译码器的任一输出均可作为存储器片选信号,这不同于程序存储器扩展时必须要Y0来片选一片存储器芯片。 本图中1#6264的地址范围是0000H~1FFFH,2#6264的地址范围是2000H~3FFFH。 注意:在地址安排时不要与I/O口地址冲突。 为什么? 5.5 存储器的综合扩展 实际使用时,往往程序存储器和数据存储器均要扩展,尤其是8031单片机。 【例】对8031单片机扩展16KB的程序存储器和16KB数据存储器,分别采用2764和6264芯片。 解: 分析:2764和6264分别为8KB的ROM和8KB的RAM,因此各需要2片才能分别组成16KB的ROM和16KB的RAM。 对系统进行扩展后,各存储器芯片的地址范围是: 1#2764:0000H~1FFFH 2#2764:2000H~3FFFH 1#6264:4000H~5FFFH 2#6264:6000H~7FFFH 1#6264、2#6264的片选信号也可以采用Y0、Y1,此时两片6264芯片的地址范围是: 1#6264:0000H~1FFFH 2#6264:2000H~3FFFH 在程序存储器与数据存储器地址相同情况下,会不会造成数据访问时冲突呢?不会!因为: 访问程序存储器的指令是MOVC,它产生有效的PSEN,而RD、WR此时无效; 而访问外部RAM的指令是MOVX,它产生有效的的RD或WR,而PSEN无效。 混合扩展电路图 在程序存储器空间放置RAM,使程序存储器空间和数据存储器空间混合,则可以实现一面调试程序,一面进行读/写修改。 本章小结 了解ROM的分类,了解RAM的分类 能设计单片机最小应用系统 掌握地址译码方法,掌握地址重叠的概念及消除地址重叠的方法 能设计ROM、RAM扩展电路及ROM和RAM综合扩展电路 能根据给出的存储器电路图分析各芯片的地址空间分配情况 第5章 存储器扩展技术 本章重点: 了解存储器的种类; 掌握地址重叠的概念、扩展存储器地址分配、地址线、控制信号(ALE、RD、WR、PSEN、EA等)的连接; 能设计存储器扩展电路图,根据电路图分析地址。 5.1 半导体存储器的分类 5.2 单片机最小应用系统 5.3 单片机程序存储器扩展 5.4 单片机数据存储器扩展 5.5 存储器综合扩展 本章小结 5.1 半导体存储器的分类 半导体存储器 磁心存储器 电耦合存储器 随机存取存储器 只读存储器 串行存储器 并行 存 储 器 5.1.1 随机存取的存储器 随机存取存储器(Random Access Memory),简称RAM,在单片机系统中用于存放可随时修改的数据 ,因此在单片机领域中也常称之为数据存储器。 RAM又可分为静态RAM(Static Random Access Memory,简称SRAM)和动态RAM(Dynamic Random Access Memory,简称DRAM)两种,对RAM既可以进行写操作,又可以进行读操作。 RAM是易失性存储器,掉电后所存储的信息立即消失。 5.1.2 只读存储器 只读存储器(Read Only Memory),简称ROM,在单片机系统中用于存放程序、常数和表格常数等,因此在单片机领域中也为程序存储器。 只读存储器中的信息一旦写入
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