408nm_InGaNGaN_LED的材料生长及器件光学特性.pdfVIP

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2017-09-20 发布于广东
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408nm_InGaNGaN_LED的材料生长及器件光学特性.pdf

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LED结构设计

第卷第期半导体学报年月的材料生长及器件光学特性王晓华展望刘国军长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室长春摘要通过提高量子阱结构的生长温度降低量子阱组分的掺入效率提高量子阱结构生长质量缩短输出波长等手段实现了紫光高效率输出采用高分辨率射线双晶衍射扫描隧道显微镜和光致发光谱技术研究了高温生长多量子阱的结构和光学特性封装后的器件在的注入电流下输出功率为输出波长为关键词量子阱中图分类号文献标识码文章编号实现高亮度的白光输出虽然目前紫外波段引言取得很大进展但是由于生长技术方面的限制实现由于以族氮化物为主的第三代半导体材料及高效率紫外波段比较困难而在波长等器件的技术上的突破并迅速产业化科学工范围内采用低组分的作为量子