模拟电子技术03__场效应管放大器.pdf免费

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2017-09-18 发布于河南
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模拟电子技术03__场效应管放大器.pdf

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第三章场效应管放大器 3.1 场效应管绝缘栅场效应管结型场效应管 3.2 场效应管放大电路效应管放大器的静态偏置效应管放大器的交流小信号模型效应管放大电路 3.1 场效应管 BJT是一种电流控制元件(i ~ i ) ，工作时，多数载流 B C 子和少数载流子都参与运行，所以被称为双极型器件。场效应管（Field Effect Transistor简称FET ）是一种电压控制器件(u ~ i ) ，工作时，只有一种载流子参与导 GS D 电，因此它是单极型器件。 FET 因其制造工艺简单，功耗小，温度特性好，输入电阻极高等优点，得到了广泛应用。 N沟道增强型 P沟道绝缘栅场效应管 FET分类：耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道结型场效应管 P沟道一. 绝缘栅场效应管绝缘栅型场效应管 ( Metal Oxide Semiconductor FET)，简称MOSFET 。分为： g d 源极s 栅极- 漏极增强型 ﬁ N沟道、P沟道 - - 耗尽型 ﬁ N沟道、P沟道 1.N沟道增强型MOS管 N + N + （1）结构 4个电极：漏极D ， P衬底 d 源极S，栅极G和衬底B 。 - g - 衬底b 符号： - - b - s （2）工作原理 ①栅源电压uGS 的控制作用当uGS=0V 时，漏源之间相当两个背靠背的二极管，在d 、s之间加上电压也不会形成电流，即管子截止。 V 当u ＞0V