94MeVXe离子辐照引起的薄膜硅光学带隙变化研究.pdfVIP

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2017-09-15 发布于重庆
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94MeVXe离子辐照引起的薄膜硅光学带隙变化研究.pdf

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第卷第期原子核物理评论 , 暋 27 暋 1 Vol灡27 No.1暋年月 , 暋2010 3 NuclearPhsicsReview Mar. 2010暋 y 文章编号: ( ) 暋暋 1007-4627201004-0092-05 94MeVXe离子辐照引起的薄膜硅光学带隙变化研究* , , , , , 1 2 1 # 1 1 2 1 2 1 2 1 , , , , , , , 杨成绍王志光孙建荣姚存峰臧航魏孔芳缑洁 , , , , 1 2 1 2 1 1 2 1 2 , , , , , 马艺准申铁龙盛彦斌朱亚斌庞立龙 , , , 1 2 1 2 1 2 李炳生 ,张洪华 ,付云翀 ( , ; 1中国科学院近代物理研究所甘肃兰州 730000 , ) 2中国科学院研究生院北京 100049 : , , 摘要室温下用的离子辐照纳米晶和非晶硅薄膜以及单晶硅样品辐照量分别为暋 94MeV Xe 11 12 13 2 , 和 / 。所有样品均在室温下用 / / 光谱仪进行检 1.0暳10 1.0暳10 1.0暳10 ionscm UV VISNIR 。、、。测分析通过对比研究了纳米晶非晶单晶硅样品的光学带隙随离子辐照量的变化结果表 Xe , : 明不同结构的硅材料中离子辐照引起的光学带隙变化规律差异显著随着离子辐照量的 Xe Xe