有关镍薄膜热电阻研制的几个问题.pdfVIP

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2017-09-14 发布于山东
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有关镍薄膜热电阻研制的几个问题.pdf

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第 36 卷第 1 期浙　江　大　学　学　报(工学版) V o l. 36 N o. 1 2002 年 1 月 Journal of Zhejiang U niversity (Engineering Science) Jan. 2002 关于镍薄膜热电阻研制的几个问题周金芳, 梁素珍 (浙江大学信息与电子工程系, 浙江杭州 310027) 摘　要: 就镍薄膜热电阻研制过程中的选材、工艺、稳定性等问题进行了探讨, 实验结果表明: 可以选用国产 0 号镍, 采用枪磁控溅射技术制备镍薄膜热电阻; 合适的热处理工艺是保证电阻温度系数值及其一致性的关键; 运 S 用保护膜技术可以提高镍薄膜热电阻温度传感器的长期稳定性关键词: 镍薄膜; 热电阻; 温度传感器中图分类号: TB 43; TN 305. 8　　　　　文献标识码:A 　　　　　文章编号: 1008973X (2002) - A spects on develop ing n ickle f ilm thermal resistance , ZHOU J in fang L IAN G Su zhen ( , , 310027, ) D ep artm ent of Inf orm ation E lectronic E ng ineering Z hej iang U niversity H ang z hou Ch ina Abstract: D iscu ssed som e key aspects such as m aterial selection, p reparation m ethod , and stab ility . 0# im p rovem en t in develop ing N ick le film therm al resistance T he resu lts show that N ick le can be u sed as candidate m aterial fo r develop ing N ick le film therm al resistance and S gun m agnetron spu ttering the app rop riate p reparation m ethod. A pp lying heat treatm en t and additional u ltrath in o rgano silicon film s depo sition can keep tem peratu re coefficien t at certain h igh value and un ifo rm , thu s fu rther im p rove long . term stab ility : ; ; Key words n ick le film therm al resistance tem peratu re