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中国硅晶体专利现状分析/王晓燕等 ·l2l ·
中国硅 晶体专利现状分析
王晓燕,童晓晨 ,祝 鹏,佟林松 ,于 霞,吴 静 ,张金毅
(国家知识产权局专利局专利审查协作北京中心,北京 100081)
摘要 采用国家知识产权局的专利检索与服务系统及 中国专利检索系统文摘数据库,并以中国专利文献检索
系统为补充,采集在我国申请的硅 晶体专利文献。对专利类型、申请量年度分布、地域分布、重点技术领域分布、主要
申请人、PCT专利申请以及专利审批结果等情况进行统计分析 ,以期揭示我国硅晶体专利申请的整体发展趋势。
关键词 硅晶体 专利 中国专利检索系统文摘数据库 分析
中图分类号:TM23 文献标识码:A
AnalysisofCurrentSituationofPatentsAboutSiliconinChina
W ANG Xiaoyan,TONG Xiaochen,ZHU Peng,TONG Linsong,
YU Xia。WU Jing,ZHANGJinyi
(PatentExaminationCooperationCenterofthePatentOffice,Beijing100081)
Abstract Chinesepatentsonsiliconcrystalarecollectedwiththepatentsearchandservicesystem ofSIP()in
theChinapatentretrievesystem abstractdatabase,andtheChinapatentretrievalsystem isusedasasupplement.Sit—
uationsofthetypedistribution,annualdistribution,areadistribution,majortechnologydistribution,majorapplicants
distribution,PCT applicationsandapprovalofpatentsareanalyzed,SOastorevealthedevelopingtrendofpatentson
siliconcrystalinChina.
Keywords siliconcrystal,patent,Chinapatentretrievesystem abstractdatabase,analysis
1947年美国贝尔实验室发明了半导体点接触晶体管,开 15日之间公开的中国专利,并依据内容进行分类整理,去除
创了人类的硅文明时代 。1958年美国TexasInstrumets和 不相关专利。采用专利分析软件和人工相结合的方法,对分
Fairchild公司发明了半导体集成电路(IC)。目前 ,IC的发展 类整理后的样本进行深入分析。
已进入特大规模集成时代 。IC的发展程度是国家实力的体
2 专利类型及申请量年度分布
现,现在全世界有 95 以上的半导体器件和 85 以上的集
成电路是用硅晶体材料制成的。随着光伏产业的迅猛发展, 经检索与统计,我国专利局受理的硅晶体专利 申请共计
硅晶体材料又被用来制造太 阳能电池。目前,硅晶体材料 已 1210件,其中发明专利为 811件,实用新型专利为 399件。
是电子信息产业和太阳能光伏产业最重要的基础功能材
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