喷射沉积电子封装用高硅铝合金的研究进展.pdfVIP

第22卷第 12期 中国有色金属学报 2012年 12月 、，01．22No．12 TheChineseJournalofNonferrousM etals Dec．20l2 文章编号：1004—0609(2012)12—3446—10 喷射沉积电子封装用高硅铝合金的研究进展 刘文水，王日初，彭超群，莫静贻，朱学卫，彭 健 (中南大学 材料科学与工程学院，长沙 410083) 摘 要：微电子技术的飞速发展对电子封装材料提出更高的要求，传统电子封装材料已难以满足现代封装需要。 新型喷射沉积电子封装用高硅铝合金以其组织细小均匀、各向同性、热膨胀系数低、热导率高、密度低，且具有 良好的机械加工、涂覆性能以及焊接性能等优 良的综合性能成为研究焦点。主要探讨高硅铝合金的喷射沉积制备 方法、组织性能和研究动态，并对其发展前景进行展望。 关键词：高硅铝合金；电子封装；喷射沉积；热膨胀系数；热导率；密度 中图分类号：TG146 文献标志码：A ResearchprogressofspraydepositedhighSi—AIalloysfor electronicpackaging L1U Wen—shui，WANGRi—chu，PENG Chao-qun，MOJing—yi，ZHU Xue—wei，PENG Jian (SchoolofMaterialsScienceandEngineering，CentralSouthUniversity,Changsha410083，China) Abstract：The increasing developmentofmodem microelecrtonic technology contributesto ahigherdemand for packagingmaterials．However,traditionalonescannolongerworkwellforthemodem packaging．Anew seriesofspray depositionhigh Si—AIalloysdeveloped ofrelectronicpackaginghave attractedmuch attention ofrtheirremarkable comprehensiveproperties，suchascombinationofuniofrm smallmicrostructure，low coefficientofthermalexpansion， lightmassandgoodmachinabiliytaswellaseasilycoatedandwelded．Thespraydepositionprocess，microstructure， perfomr ance aswellasresearch statuswere discussed，and the relevna tproblems and developmenttendency correspondingwerealsoaddressed． Key words：high Si-A1alloys；electronicpackaging；spray deposition；coeffi cientofthemr alexpansion；themr al conductiviyt 封装在 电路中具有支撑电路、密封、散热和屏蔽 工，但是其热膨胀系数(Coefficientofthermalexpansion， 等作用，对 电路的性能和可靠性具有重要影响。随着 CTE)高达23×10 K～，远高于si和GaAs的，在器 现代电子技术的不断发展，半导体集成电路芯片Oc) 件工作热循环时易产生热应力，从而导致失效。铜的 的集成度、频率、组装密度以及计算速度 日益