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2017-09-13 发布于重庆
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第 25 卷第 6 期稀　　土 V o l25,N o 6 2004 年 12 月　　　　　　　　　　　　　　Ch inese R are Earth s　　　　　　　　　　　　　　　　 D ecem ber 2004 共沉淀法合成 2- 2 3 复合纳米晶的研究 CeO A l O 1 1 1 1 1 2 宋晓岚 , 吴雪兰 , 王海波 , 曲　鹏 , 邱冠周 , 曲选辉 ( 1 中南大学资源加工与生物工程学院, 湖南　长沙　410083; 2 北京科技大学材料科学与工程学院, 北京　100083) 　　摘　要: 以 ( ) ·9 和 ( ) ·6 为原料, 氨水为值调节剂, 并加入少量表面活性剂 A l NO H O Ce NO H O pH 3 3 2 3 3 2 4000, 采用化学共沉淀法制备了前驱体, 前驱体经高温热处理得到含 25% (质量分数) 的 - PEG CeO 2 CeO 2 A l2O 3 复合纳米晶。通过正交试验, 获得了共沉淀的优化条件: 值为 9～ 10, 反应温度约 30 ℃, 反应时间为 20 , 表面 pH m in ( ) 活性剂用量为 0 44% 质量分数 , 前驱体热处理温度 800℃为宜。使用、、、、纯度及化学成分 T G D TA XRD BET IR 分析等方法对 - 复合纳米晶的性能进行了表征。 CeO A l O 2 2 3 关键词: - ; 复合纳米晶; 共沉淀法; 性能表征 CeO A l O 2 2 3 中图分类号: O 61433; T G739　　　文献标识码:A 　　　文章编号:(2004) 　　随着计算机等行业飞速的发展, 对集成电路的速率高、选择性好的特点。 2 3 技术正成为一