SiC薄膜红外及紫外可见光谱的研究.kdh.pdf

文章编号 (2001) Ge/ Si 多层膜热稳定性的 Raman 光谱研究 周湘萍 ,毛 　旭 ,张树波 ,杨 　宇 (云南大学 材料科学与工程系 ,云南 昆明 650091) 摘 　要 : 　用 Raman 光散射的方法 ,观察了磁控溅射技术制备 和 R75 ,R72 每层的厚度分别为 :Si 亚层 d ( Si) 为 9nm , Ge 亚层 d( Ge) 的 Ge/ Si 系列多层膜退火处理后的各 Raman 峰的变化 ,对其峰 为2nm ;R75 每层 的厚度分别为 : Si 亚层 d( Si) 为 9nm , Ge 亚层 形 、峰位及峰强的变化进行讨论分析 。实验结果显示 : Ge/ Si 多 d( Ge) 为 1nm 。 层膜经 700 ℃热处理 10min 后 ,能改善各层的晶体质量 ,得到较 退火在真空石英管中进行 ,采用常规电阻丝双通加热炉加 完整的多层膜的结构 。 热 。样品随真空石英管推入预设高温的炉心进行加热 ,升温时 关键词 : 　Raman 光谱 ; Ge/ Si 多层膜 ;退火 间约为 5min ,然后进行预订时间的热处理 ,最后随真空石英管 中图分类号 : 　O657. 37 　　　　文献标识码 :A 退出加热炉在室温下进行自然冷却 。R75 和 R72 的热处理时间分 别控制为 10min 和 20min 。3 个退火温度分别为 500 ℃、700 ℃ 1 　引　言 和 800 ℃。 Ge/ Si 应变层超晶格具有特殊的光电性 , 因而在光电子和 微电子器件方面有广阔的应用前景 。由于 Ge 和 Si 的晶格失配 高达 4. 2 % ,使 Ge 和 Si 的共度生长成为超晶格制备过程中的一 大难题 。到目前为止 ,对 Ge/ Si 超晶格的生长主要依靠分子束 ( ) [ 1 ,2 ] ( ) [ 3 ] 外延技术 MBE 和化学汽相沉积 CVD 两种方法 。对 MBE 制备的 Ge/ Si 超晶格的热稳定性质 , 国内外已有过不少报 导 ,主要集中在研究超晶格的热应力分布 、结构弛豫[ 2～4 ] 以及异 图 1 　样品设计结构示意图 质界面结构[ 5 ,6 ] 等方面 。自 P. Sutter 等人[ 7 ] 用磁控溅射方法 Fig 1 Diagrammatic sketch of sample structure ( ) ( ) MSE 生长出 Si Ge / Si 100 超晶格后 ,磁控溅射技术作为制 m n 　　我们用美国斯派克公司制造的M KI1000 喇曼谱仪对 Ge/ Si 备 Ge/ Si 超晶格的又一方法开始受到越来越多的重视 。同分子 多层膜进行测量 ,采用背向散射装置 。发光源采用室温下 Ar + 束外延和化学汽相沉积两种技术相对比 ,磁控溅射的最大优势 激光器的 514. 5nm 谱线 ,功率为 25mW ,测