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第一章 总 论
(一)项目背景
1、项目名称
项目名称:炭/炭复合材料单晶生长热场系统项目
项目建设单位:**有限公司
项目建设规模为:炭/炭复合材料**吨/年,碳/石墨材料**吨/年
项目建设选址:国家级**开发区
2、承办单位概况
项目公司名称:**有限公司
成立时间:200 年 月 日
注册资本:人民币 万
注册地址:12、16、18英寸硅片。据必威体育精装版的《国家半导体技术(ITRS)》介绍,直径18英寸硅单晶抛光片是12英寸的下一代产品,也是未来22nm线宽的64G集成电路的衬底材料。集成电路产业是信息产业的核心,全世界以集成电路为核心的电子元器件,95%以上是硅材料制成的,其中直拉硅单晶的用量超过85%。随着超大规模集成电路集成度的迅速提高,迫切要求采用大直径的直拉硅单晶抛光片。超纯及完整晶体结构的硅晶体是一条长长的价值链的起点。没有硅晶体就没有半导体、光电子、通讯技术及光电技术。硅晶体棒用于制作晶圆,晶圆是半导体工业中制作芯片的基础材料。硅材料的另一个大的需求来自太阳能。从长远看,世界上一半以上的能源生产要采用可再生能源。可再生资源主要有风、水、太阳能。太阳能直接转换成电能(光电效应)靠太阳能电池完成。电池的原材料是带特定晶体结构的硅。专家预测:在今后的十年,结晶硅将在太阳能电池的生产中成为在、最主要的材料。硅片工业目前在生产与市场方面已经形成了垄断,日本、德国等国的资本控制的八大硅片公司的销量占硅片总销量的90%,当前IC用主流硅片是8英寸,并向12英寸过渡。市场调研预测,到2006年,12英寸的硅片的比例将由目前的1.3%增加到21.1%。
在IC和太阳能发电等领域对硅单晶的巨大需求和消费,对其生产能力对生产技术提出了更高的要求。其中生产高纯半导体材料的高温电热真空炉——硅单晶生长炉正在向大型化、自动化的方向发展。硅单晶生长炉隔热保温筒、坩埚、发热体等热场系统元件采用高纯石墨、超高纯石墨材料制造,产品要求材料的金属杂质含量要求不超过5~30ppm。同时硅单晶生长炉最主要的易损件的消耗量特别大。根据权威部门统计,一台小型晶体生长炉(如12英寸)每年消耗的石墨坩埚、加热器、保温隔热材料的价值,达到20万元以上;一台大型晶体生长炉的热场系统备件损耗,可达50万元以上。由于生产大型高纯石墨、超高纯石墨材料工艺控制难,需要大型的等静压设备等,其投资极大。因此,高纯石墨尺寸受到限制,经常不能满足制造较大硅单晶生长炉的热场零件的要求;另外,石墨脆性大,机械强度不高,使用可靠性不强,使用寿命短。本项目提出的炭/炭复合材料单晶生长热场系统零件的材料及热场解决方案,经过实践验证,对解决以上问题起到了很好的效果。实施本案对发展大型硅单晶生长设备,制造大尺寸的晶体,提升我国微电子技术水平具有极为重大的意义。
5、项目拟建地点
本项目拟建于国家级**经济技术开发区内。
国家级**经济技术开发区创建于 年 月,200 年 月经国务院批准为国家级经济技术开发区。建区 年多来,开发区坚持“以工业项目为主、吸引外资为主、出口为主和致力于发展高新技术”的方针,强调以产业发展为中心,走产业兴区之路,通过卓有成效的招商引资工作,目前入区工业企业 家,其中三资企业 家,内资企业 家,入区企业基本上实现了由单个到群体的转变,区内产业也正由零散向集成转变。到目前为止,区内共完成基本建设投资 亿元,移动土石方近亿立方米,完成 亿元人民币的基础设施投资任务,各项建设工作都取得了十分显著的成绩。目前,区内主次干道已拉通 条,总长 公里; 座大型跨线桥已经竣工通车;已经完成 公里,架设铁塔 座的三回超高压线路的改道工程, 个 千伏的变电站已经投入使用,目前区内日供电能力已经达到240万千瓦时;2座日供水10万吨的自来水厂已经投入运行;日处理能力8万吨的污水净化中心已经正式营业;装机容量为10万门的程控大楼,现已开通20000门程控电话和高速宽带通讯网,实现了与156个国家和地区通信联网;投资1400多万元的电视发射塔已经正式投入使用。
目前,***经济技术开发区已经形成了以**、**为主体的先进制造工业,以**为主体的电子信息产业,以**为主体的新材料产业,以**系列为主体的食品饮料产业,以**为主体的轻印产业等五大产业格局。2003年年底,区内累计完成总产值 亿元。
**经济技术开发区位于***,地理位置优越,交通十分便利。
6、项目预期目标
炭/炭复合材料单晶生产热场项目总体规划占地30亩,总投资4979.43万元,总建筑面积7000平方米(全部为标准工业厂房)固定资产投资2179.93万元。
项目建设预期目标:形成年产炭/炭复合材料20吨/年、碳/石墨材料400吨/年的生产能力。
项目经济效益:项目实施期内(11年,含1年建
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