多壁碳纳米管阵列的生长机理和可控生长.docVIP

附件2 论文中英文摘要格式 作者姓名：刘锴 论文题目：多壁碳纳米管阵列的生长机理和可控生长 作者简介：刘锴，男，1981年6月出生，2003年9月师从于清华大学范守善教授，于2008年7月获博士学位。 中 文 摘 要 碳纳米管作为一种理想的一维结构，具有优良的力学、电学和热学性能，因而展现出广阔的应用前景。为了实现碳纳米管的应用并满足不同的产业需求，需要可控合成具有特定的产量、直径、长度或螺旋度的碳纳米管，这对生长机理的研究提出了挑战性的要求。因此，阐明碳纳米管的生长机理，进一步可控可重复地制备碳纳米管，是碳纳米管合成领域的最终目标，对于实现碳纳米管应用具有重要的意义。一般来讲，碳管的生长过程都会经历成核、生长和终止三个阶段。本论文以多壁碳纳米管为研究对象，主要内容涉及到对这三个阶段的影响因素和作用机制进行研究，并进行控制优化，以期望能够实现多壁碳纳米管阵列的可控生长，主要成果和结论如下： 1．成核阶段积碳的影响 碳纳米管阵列的成核阶段是生长期间非常关键的阶段，这一阶段决定了碳管的成核密度，因而决定了阵列的品质。在通常制备多壁碳纳米管阵列的过程中，我们发现，先前生长过程中沉积在反应腔器壁上的黑色的碳沉积物（称之为“积碳”）会影响后续的阵列生长。进一步的研究表明，这些积碳的存在能够促进多壁管阵列的成核，因此在有积碳的反应腔体内生长的阵列具有更高的碳管密度和排列规整性。我们发现，在无积碳的反应腔内，碳源气C2H2促使催化剂变成纳米颗粒并使碳管开始成核过程；但在有积碳的反应腔内，在C2H2通入之前，从积碳中释放出的某些活性成分就已经开始与催化剂作用，并使之变成颗粒，部分催化剂颗粒成核生成一些节状的碳产物。这些从积碳中释放出的活性成分，可能是积碳中的一些吸附物（比如CH2），因其与催化剂作用能释放出更高的反应热，因此更有利于碳管的高密度成核。以上的讨论表明多壁碳纳米管的生长与反应腔的历程有很强的相关性，这种与反应腔的历程相关的生长在其它纳米线（如Si线）的合成中也普遍存在，而与腔体形状无关。 2．生长阶段的机理研究 生长阶段是碳管生长过程中历时最长的阶段，而生长标记方法是研究这一阶段机理的有效手段。我们发展了一种简单可行的生长标记方法，利用额外引入的脉冲气流对正常的生长过程进行暂时性的干扰，从而在阵列的相应位置上作出标记。所作的标记可以在生长结束后，在扫描电镜（SEM）甚至光学显微镜下观察到。利用不规则的时间间隔进行标记，可以判定我们实验中阵列的生长模式为底端生长。利用规则的时间间隔进行标记，可以反映出碳管阵列在生长阶段的速率变化。实验发现，各个温度下的生长速率都有一个先上升后稳定的过程，生长速率稳定后的阶段为稳态生长阶段。虽然在阵列的不同位置所对应的稳态生长速率有所差异，但其速率与温度的关系都给出一个相近的反应活化能数据Ea=159(7 kJ/mol。这一活化能并不对应于碳原子在催化剂中的扩散过程，而很可能来自碳源气体在催化剂颗粒表面的反应。因此，碳管生长可能并不是一个扩散限制的过程。实验结果与根据VLS模型导出的速率方程吻合的很好，预示着碳管阵列生长可能遵循VLS机制。 3．终止阶段的控制 生长的终止阶段是碳管生长过程中容易被人们忽略的一个阶段。但是对于遵循底端生长模式的阵列来讲，终止阶段直接影响着碳管-基底这一界面的性质。我们通过对生长终止阶段阵列附近的局域气氛的控制，制备出具有不同碳管根部形态的阵列。采用通常的断碳源气使生长终止的“自然终止”方式，残余碳源气的浓度是逐渐减小的，这造成催化剂颗粒逐渐收缩并部分或全部被碳管包覆，碳管在基底附近缠绕弯曲，并通过外层石墨层或一个较小的催化剂颗粒与基底接触；如果在生长终止阶段通以大流量的惰性气体使之“突然终止”，则催化剂附近的局域碳源气会迅速消失，催化剂颗粒迅速固化，碳管根部通过催化剂颗粒与基底笔直规整地接触。 不同的根部形态会影响碳管-基底的界面性质。我们还发展了一种测量阵列与基底结合力的方法，测量结果表明，采用突然终止方式制备的碳管阵列与基底的结合力是自然终止方式下结合力的2.4~3.3倍，这表明采用突然终止方式有利于获得较强的阵列与基底的结合力，这对将碳纳米管阵列作为场发射体的应用来讲是非常有利的。对于Si和SiO2/Si这两种基底来讲，增强程度相差不大；但在较高的温度下，增强效果则比较明显。这种可控终止生长的方法有望用于改善碳管-基底间的其它界面性质，并可推广用于控制一维纳米材料的尖端形态。 4．超顺排碳纳米管阵列的可控制备和性质调控 超顺排阵列代表了一类高质量的多壁碳纳米管阵列，其内的碳管具有较高的密度和干净的表面。超顺排阵列的一个显著特点是从中可以连续地抽出超顺排碳纳米管薄膜。在这种薄膜中，碳纳米管是定向排列的。基于以上对于生长机理的理解，我们对制备过程进行适当的控制和