1)设计制作如下图所示的EDNMOS的工艺步骤（不需要.docVIP

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2017-10-10 发布于重庆
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1)设计制作如下图所示的EDNMOS的工艺步骤（不需要.doc

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工艺集成假定衬底掺杂浓度为1015cm-3，源漏的掺杂浓度为1020cm-3，结深为0.5?m，阈值电压调节注入时要求表面掺杂浓度为1017cm-3，而且在距表面0.5?m处降至与衬底浓度相同。根据你设计的工艺步骤，i)设计LOCOS和栅氧化所需的气氛，计算LOCOS所需的氧化时间和温度。ii)计算形成源漏和两个阈值电压调节所需的离子注入剂量。iii)计算上述三个离子注入区域的“驱入退火”所需的时间和温度。iv)根据以上的计算结果决定是否需要对问题1）中的所有退火步骤进行修正（包括顺序）。注：其实原图表示的是某个剖面的实际情况，并非Al与N＋之间有氧化层存在，只是该剖面正好不是接触孔所在截面位置而已。但是，为了大家方便理解，我把原图改为现在的样子，即把接触孔位置挪到同一个横截面内，大家按这张图做习题好了。