024退火温度对ZnO薄膜晶体管电特性的影响.pdfVIP

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2017-09-04 发布于重庆
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( ) 华南理工大学学报自然科学版 39 9 Journal of South China University of Technology Vol． 39 No ． 9 第卷第期 2011 9 (Natural Science Edition) September 2011 年月文章编号:1000-565X (2011)09-0103-05 * 退火温度对ZnO 薄膜晶体管电特性的影响 1，2 1 1 1 1，2 1 3 1 刘玉荣任力飞杨任花韩静姚若河温智超徐海红许佳雄 (1．， 510640 ; 华南理工大学电子与信息学院广东广州 2 ．， 510640 ; 华南理工大学广东省短距离无线探测与通信重点实验室广东广州 3．， 510640) 华南理工大学物理系广东广州 : ， Zn ，摘要针对非晶硅和有机薄膜晶体管的低迁移率问题以高纯为靶材反应磁控溅、 ZnO ， ZnO 射沉积且在不同温度下退火的薄膜作为半导体活性层成功地制备出基于材料的薄膜晶体管(ZnO-TFT)， ZnO-TFT ． :ZnO- 研究了退火温度对电特性的影响结果表明 n TFT 的载流子迁移率随退火温度的升高而明显增大，700 ℃ 退火的样品迁移率为8. 00 2 c cm / (V ·s)，，阈值电压随退火温度的升高而明显减小在较高温度下退火处理制备的 . ZnO-TFT ． X 、 X 呈现出较低的关态电流结合射线衍射谱原子力显微镜和射线光电子能 ZnO ， ZnO-TFT 谱对 m 薄膜的微结构及组分的分析发现性能随退火温度升高的改善来源于 ZnO 、、，退火温度的升高使薄膜的晶粒尺寸增