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- | 2005-03-23 颁布
- | 2005-10-01 实施
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ICS31.080.20
K 46 沥黔
中 华 人 民 共 和 国 国 家 标 准
GB/T 13151-2005/IEC60747-6-3:1993
代替 GB/T13151-1991
半导体器件 分立器件
第6部分:晶闸管
第三篇 电流大于 100A、环境和管壳额定
的反向阻断三极晶闸管空白详细规范
Semiconductordevices- Discretedevices-
Part6:thyristors-
Sectionthree-Blankdetailspecificationforreverseblockingtriode
thyristors,ambientandcase-rated,forcurrentsgreaterthan100A
(IEC60747-6-3/QC750113:1993,IDT)
2005-03-23发布 2005-10-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中 国 国家 标 准 化 管 理 委 员 会 发 布
GB/T 13151-2005/IEC60747-6-3:1993
前 言
本标准是晶闸管空白详细规范系列国家标准之一,这一系列国家标准现包括:
— GB/T6352 半导体器件 分立器件 第6部分:闸流晶体管 第一篇 100A以下环境或
管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范
— GB/T659。 半导体器件 分立器件 第6部分:闸流晶体管 第二篇 100A以下环境或
管壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范
— GB/T13150 半导体器件 分立器件 电流大于100A、环境和管壳额定的双向三极晶闸管
空白详细规范
— GB/T13151 半导体器件 分立器件 第6部分:晶闸管 第三篇 电流大于 100A、环境
和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范
— GB/T13153 5A以上环境或管壳额定可关断晶闸管空白详细规范
本标准等同采用IEC60747-6-3:1993《半导体器件 分立器件 第6部分:晶闸管 第三篇:电流
大于 100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范》(英文版)。
本标准代替GB/T13151以上环境或管壳额定反向阻断三极晶闸管空白详细规范》。
本标准等同翻译IEC60747-6-3:1993.
为便于使用,本标准作了下列编辑性修改:
a) “本国际标准”一词改为 “本标准,’;
b) 引用的IEC标准一律改为等同或等效采用国际标准的国家标准;
c) 为与本国“前言”区别,IEC的 “前言”称,IEC前言”;
d) 在极限值表中补充了安装力矩和安装力的符号M和F;
e) 按照IEC标准中方括号的用法,将原文中 “whereappropriat”加不加括号和加圆括号、方括号
的不统一,统一成加方括号,即为“[适用时」”。
本标准(本版)与前版(GB/T13151-1991)相比,主要变化如下:
— 标准名称中增加了引导要素文字:“半导体器件 分立器件 第6部分:晶闸管 第三篇”并作
了个别文字修改(前版的封面和首页;本版的封面和首页);
— 增加了 “前言”和,IEC前言”,删去了 “附加说明,’(前版的 “附加说明”;本版的“前言”和 “IEC前
言 ,,);
— 删去了第8章各表中的抽样方案及附录A追加抽样表,增加了对A,B,C,D组抽样要求的文
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