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移相全桥ZVS 及ZVZCS 拓扑结构分析
鲁雄飞
河海大学电气工程学院,南京(210098 )
E-mail :luxiongfei@126.com
摘 要:总结了基于零电压及零电压零电流全桥PWM 技术的各种典型拓扑,比较分析了
其拓扑结构及各自的特点。在不同的应用场合,我们应该根据其特点选择合适的拓扑结构。
关键词:变换器;PWM;零电压开关;零电压零电流开关;
中图分类号:TTP
1. 引言
移相控制方式是控制型软开关技术在全开关PWM 拓扑的两态开关模式(通态和断态)
通过控制方法变为三态开关工作模式(通态断态和续流态),在续流态中实现开关管的软开
关。全桥移相ZVS-PWM DC/DC 变换拓扑自出现以来,得到了广泛应用,其有如下优点:
○1充分利用电路中的寄生参数(开关管的输出寄生电容和高频变压器的漏感,实现有
源开关器件的零电压开关)
2○功率拓扑结构简单
3○功率半导体器体的低电压应力和电流应力
4○频率固定
○5移相控制电路简单
全桥移相电路具有以上优点,但也依然存在如下缺点:
○1 占空比丢失
2○变压器原边串联电感和副边整流二极管寄生电容振荡
3○拓扑只能在轻载到满载的负载范围内,实现零电压软开关
目前该拓扑的研究及成果主要集中在以下方面
○1减小副边二极管上的电压振荡
2○减少拓扑占空比丢失
3○增大拓扑零电压软开关的负载适应范围[1]
4○循环电流的减小和系统通态损耗的降低[2]
2. 典型的zvs 电路拓扑
2.1 原边串联电感电路
为了实现滞后桥臂的零电压,一般在原边串联电感(如图1 所示)。增大变压器漏感,
以增加用来对开关输出电容放电能量。该电路具有较大的循环能量,变换器的导通损耗较
大,且增大了占空比的丢失。
-1-
Q1
D1 C1
D2 C2
Q2
Vin
Lr C4
Q3 C1 Q4
D3 D4
TR VD1 Lf
•
Cf Rld
•
•
VD2
图 1 变压器原边串联电感拓扑
在实现滞后桥臂的同时,为了进一步扩大负载范围,可在原边上再串联上一饱和电感,
该电路可减小占空比的损失和减小变压器副边的寄生振荡,但是饱
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