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第 34卷 第 3期 人 工 晶 体 学 报
Vo l. 34 No. 3
2005年 6月 JOURNAL OF SYN TH ETIC CRYSTAL S June, 2005
2 +
YA G: V 激光材料晶格畸变及其 EPR参量研究
1, 2 2 1
杨子元 ,魏 群 , 郝 跃
( 1. 西安电子科技大学微电子所 ,西安 7 10071; 2. 宝鸡文理学院物理系 ,宝鸡 72 1007)
( )
摘要 :利用 N ewm an 的晶场叠加模型 ,建立了晶体微观结构与电子顺磁共振 EPR 参量之间的定量关系 。采用全组
态完全对角化方法 ,对 YA G: V2 + 晶体的局域晶格畸变及其 EPR 参量进行了系统的研究 ,结果表明: V2 + 离子掺入
YA G晶体后 , V2 + 离子的局域结构产生压缩三角晶格畸变 ,沿 [ 111 ]晶轴方向 V2 + 离子上方的三个 O2 - 配体与下方
的三个 O2 - 配体均偏离 [ 111 ]轴 1. 96 °,从而成功地解释了 YA G: V2 + 晶体的 EPR 参量 。同时研究也表明 , SS与
SOO 磁相互作用对 EPR 参量的贡献不可忽略 。
关键词 : YA G: V2 + 晶体 ;局域晶格畸变 ; EPR 参量 ;磁相互作用
中图分类号 : O732 文献标识码 : A 文章编号 : 1000985X (2005)
Investiga tion s of L a ttice D istortion and EPR Param eter s
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for YA G : V L a ser Cry sta l
1, 2 2 1
YAN G Z iy uan , W E I Q un , HA O Yue
( 1. M icroelectron ic s In stitute, X idian Un iversity, X i ′an 7 1007 1, Ch ina;
2. D ep artm ent of Physic s,
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