YAGV激光材料晶格畸变及其EPR参量研究.pdfVIP

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 第 34卷 第 3期           人  工  晶  体  学  报            Vo l. 34 No. 3   2005年 6月            JOURNAL OF SYN TH ETIC CRYSTAL S              June, 2005  2 + YA G: V 激光材料晶格畸变及其 EPR参量研究 1, 2 2 1 杨子元 ,魏  群 , 郝  跃 ( 1. 西安电子科技大学微电子所 ,西安 7 10071; 2. 宝鸡文理学院物理系 ,宝鸡 72 1007) ( ) 摘要 :利用 N ewm an 的晶场叠加模型 ,建立了晶体微观结构与电子顺磁共振 EPR 参量之间的定量关系 。采用全组 态完全对角化方法 ,对 YA G: V2 + 晶体的局域晶格畸变及其 EPR 参量进行了系统的研究 ,结果表明: V2 + 离子掺入 YA G晶体后 , V2 + 离子的局域结构产生压缩三角晶格畸变 ,沿 [ 111 ]晶轴方向 V2 + 离子上方的三个 O2 - 配体与下方 的三个 O2 - 配体均偏离 [ 111 ]轴 1. 96 °,从而成功地解释了 YA G: V2 + 晶体的 EPR 参量 。同时研究也表明 , SS与 SOO 磁相互作用对 EPR 参量的贡献不可忽略 。 关键词 : YA G: V2 + 晶体 ;局域晶格畸变 ; EPR 参量 ;磁相互作用 中图分类号 : O732         文献标识码 : A       文章编号 : 1000985X (2005) Investiga tion s of L a ttice D istortion and EPR Param eter s 2 + for YA G : V L a ser Cry sta l 1, 2 2 1 YAN G Z iy uan , W E I Q un , HA O Yue ( 1. M icroelectron ic s In stitute, X idian Un iversity, X i ′an 7 1007 1, Ch ina; 2. D ep artm ent of Physic s,

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