硅表面有机单分子膜的新表征方法_界面微分电容测量法.pdfVIP

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2017-09-03 发布于重庆
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Vol . 24 高等学校化学学报 No . 1 2 0 0 3 1 CHEMICAL JOURNAL OF CHINESE U NIVE RSIT IES 8690 1, 2 2 1 2 孙乔玉 , Catherine Henry de Villeneuve , 力虎林 , Philippe Allong ue ( 1. , 730000; 2. Laborat oir e de Phy ique de Liquide et Elect ro chimie, CN RS -UPR 15 Co nventio nne av ec l Univ er itP M Cur ie, 4 place Ju ieu, T our 22, 75005 Par i ) . H-Si( 111) / , . , . ; ; O646A 025 1-0790( 2002) 0 1-0086-05 , Si-H , [ 1, 2] [ 3] . , , , [ 1] . SiC . [ 46] . , [ 7] . - , H Si . ( FT IR) , X ( XPS) , , X ( AFM ) ( ST M ) . [ 8] . [ 9] Wayner FT IR , , . ( ) RBS Rutherford Back catting NRA ( Nuclear Reaction Analy i ) , NRA [ 8] , RBS ( Br ) . [ 1014] , . , . H-Si( 111) , . 1 1. 1 2 5 2 1-( 97% ) 1-( 92%, A CROS) , 1-( 94% ) , 1-( 95%) C H A lCl ( 1. 0 mol/ L , Aldrich) , , . n- 10. 1610- 2 m , ( 111) , 10 / cm , 500550 m, 0. 2 ( ACM , ) . Autolab ( 10, - , ) . P GST AT Echo Chemie : 2001-09-04. : . : Philippe Allongue( 1958 ) , , , . ( 1936 ) , , , , . No. 1 孙乔玉等: 硅表面有机单分子膜的新表征方法　　　87 1. 2 1. 2. 1　H-Si( 111) 表面的制备90 V ( H2SO4 ) V ( H2O2 ) = 21 2 h. ( NH4 ) 2SO3