F分子二聚物在G;HC处增益特性研究.pdfVIP

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2017-09-03 发布于重庆
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第卷第期光学精密工程 ! ! ! 5267! 827! ! ! ! !!!!!!! ()*+,-./01*)+)2-3- )-110)- !! !!!!!! 年月 ! ’ 4 4 #$$% # 91:7#$$% ! ! ! ! 文章编号 ! !$$;@#A #$$%$!;$$!$;$ ! F 分子二聚物在G;HC 处增益特性研究 ; 申作春!鲁建业!高惠德哈尔滨工业大学光电子技术研究所!黑龙江哈尔滨! # !%$$$! 摘要!利用微波放电激励高纯氮#并采用放大自发辐射法#研究了不同微波激励功率和不同气压条 8 # 件下分子二聚物辐射的增益特性$给出了沿放电管轴线分子二聚物辐射 8 %#7-F 8 %#7-F # # 的小信号增益系数随微波激励功率和充入放电管气压变化的规律$研究结果表明当微波功率大于 8 # 时#充入气压在范围内# 分子二聚物在处存在受激辐射特性$ !$$L 8 $ !=$$/, 8 %#7-F # # # 当微波功率为 #充入放电管的气压为时# 分子二聚物辐射的小信号增 %$$L 8 !!$$/, 8 %#7-F # # 益系数最大为 ;!$另外#还给出了分子二聚物辐射增益沿放电管径向分布情 !7$=I *F 8 %#7-F # 况$ 分子二聚物辐射的增益系数在放电管中心最小#接近管壁时最大$ 8 %#7-F # 关键词!放大自发辐射!二聚物!增益 ! !