GaN蓝光LED电极接触电阻的优化-中国光学光电子行业网.pdfVIP

维普资讯 SEM ICoNDUCToR oPTDELECTRoNICS V01．27No．6 2OO6 GaN蓝光 LED电极接触电阻的优化 裴风丽h，陈炳若h，陈长清 (1．武汉大学 物理科学与技术学院。湖北 武汉 430072；2．中国科学院传感技术联合国家重点实验窒。上海 200050) 摘 要： 通过分析 LED的工作电压和晶圆上两相邻 N 电极间电阻来讨论快速退火 (RTA) 和表面处理对 GaN基蓝光 LED接触电极的影响。研究了P—GaN表面处理对 Ni／Au与 p-GaN接 触电阻的影响。结果表明，用K0H清洗 P—GaN表面比用HCl清洗更能有效地改善 Ni／Au与p— GaN的接触电阻。讨论 了在氧和氮混合气氛下两种退火温度对 P电极接触电阻的影响，当退火温 度从 570。C升到 620℃时接触电阻升高。研究了氮气氛下不同退火温度和时间对 LED 电极接触 的影响，发现在 480℃下连续退火对 N接触有利，但却使 P接触变差，而450℃、10min的氮气氛 退火能同时得到较好 P接 触和 N接触 。 关键词： GaN基蓝光 LED；接触电阻；RTA；表面处理 中图分类号：TN312．8 文献标识码 ：A 文章编号 ：1001—5868(2006)06—0742--03 Optim izationofContactResistanceofGaN BlueLED Electrodes PEIFeng-li ．CHEN Bing-ruo ，CHEN Chang-qing! (1．SchoolofPhysicsSc ienceandTechnology，WuhanUniversity，Wuhan430072，CHN； 2．StateKeyLaboratoryofTransducerTcehnology，ChineseAcademyofSciences，Shanghai200050，CHN) Abstract： The effectsofrapid thermalannealing (RTA ) and surface treatmenton the contactresistanceofGaN—based blueLED electrodeshavebeen investigatedby analyzing the operatingvoltageand theresistancebetween adjacentN electrodes．The effectofsurface treatmentontheNi／Au-p—GaN contactresistancehasbeenalsodiscussed．Theresultshowsthat KOH solution can bemoreeffectivethanHC1solution in reducing thecontactresistance．The impactsoftwodifferentannealingtemperaturesin O2andN2ambienton thep—typecontact resistancehasbeenreviewed，showingthattheresistanceincreaseswhen temperaturerisesfrom 570℃ to620℃．Finally，theeffectsofdifferenttemperatureandannealingtimeinNzambient havebeenexamined，withtheconclusionthatat480℃ ，continuousannealingcanimprovethen— typecontactresistancewhiledegradingthep-typeone，nevertheless，bothgoodp-typeandn—type contact