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第 16 卷 第 1 期 光 散 射 学 报 Vol 16 No 1
2004 年 4 月 CHINESE JOURNAL OF L IGHT SCATTERIN G Apr 2004
( )
文章编号 2004
掺 Sb 纳米 ZnO 的光致发光的研究
1 1 2 1 2
杜广芬 ,左 健 ,李福利 ,张运生 ,耿玉珍
( 1. 中国科学技术大学结构分析重点实验室,安徽 合肥 230026 ;
2. 首都师范大学物理系 , 北京 100037 ;)
摘 要 : 用柠檬酸盐法合成了不同掺杂浓度的纳米 ZnO ,粒径约为 15nm 。探讨了 Sb 掺杂对 ZnO 光致发光
峰的影响。随着掺杂量的提高 ,样品的发射峰从 428 nm 移至 444 nm 。未掺杂 ZnO 的发光主要是源于电
子从锌填隙形成的缺陷能级到价带顶的跃迁 ; 随着掺杂量的提高 ,体系的氧空位增加 ,从而使得电子从氧
空位所形成的缺陷能级到价带顶的跃迁占据主导 ,光致发射峰向长波方向移动。
关键词 : 光致发光 ; 纳米 ZnO ; Sb 掺杂
中图法分类号:O4723 文献标识码 :A
Study on Photoluminescence of Sbdoped ZnO Nanocrystallites
1 1 2 1 2
DU Guangfen , ZUO Jian , L I Fuli , ZHAN G Yunsheng , GEN G Yuzhen
( 1. S t ruct ure Research L aboratory , U niversity of Science and Technology of China ,
A nhui Hef ei 230026 , China ; 2 . Physics Depart ment , Capital Norm al U niversity ,
)
Beijin g 100037
Abstract : Sbdoped ZnO nanocrystallites of average grain size about 15nm were made by the
citrate method and made some discussion about the effect of the Sbdoped on the photolumi
nescence peak of ZnO nanocrystallites. With increasing of doping , the photoluminescence peak
of products drift from 428nm to 444nm. Electron transition from defect energy level formed by
interval Zn ions to tip of va
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