C波段低噪声放大器的设计-与非网-EEFOCUS中国领先.pdf

　　电　子 　测 　量 　技 　术 第 30 卷 第 11 期 研究设计 　　EL EC TRON IC M EA SU R EM EN T T EC HN OL O GY 2007 年 11 月 　 C 波段低噪声放大器的设计 张海拓 　郭俊栋 　周以国 ( 中国科学院电子学研究所 　北京 　100080) ( ) 摘 　要 : 低噪声放大器 简称低噪放 是射频接收前端中的重要部件 。一个性能良好的低噪声放大器可大大改善接收 机的信噪比。本文介绍了一种 C 波段低噪声放大器的设计原理和设计方法 ,并给出了设计结果 。该放大器采用 N EC ( ) 公司的N E32 10 S0 1 场效应晶体管 F E T ,为达到较高的增益和较好的增益平坦度 ,采用两级级联的方式 。输出端串 ( ) 联一个有耗元件 电阻 保证放大器的稳定性 。利用 AD S 强大的仿真优化功能设计了输入 、输出及级间匹配电路 ,最 ( ) 终制成的放大器经反复调试后在 4 . 5 G～5 . 5 GHz 范围内增益 25 ±0 . 7 dB ,噪声系数小于 1. 3 dB ,输出驻波小于 15 ,达到了设计要求 。 关键词 : 低噪声放大器 ; 噪声系数 ; N E32 10 S0 1 ; AD S 仿真 中图分类号 : TN T22 . 3 　　　　　　文献标识码 : A Design of Cband low noise ampl if ier Zhang Hait uo 　Guo J undong 　Zhou Yiguo ( In stit ut e of Elect ronics Chinese Academy of Sciences ,Beij ing 100080 ) Abstract : Low noi se amp lifier (L N A) i s an import ant p art a s t he f ront end of t he receiver . A goo d L N A can greatly imp rove t he signal to noi se ratio ( SN R) of t he receiver . We int ro duced t he design p rincip le and design met hod of a C band L N A and gave t he result . F E T N E32 10 S0 1 of N EC Comp any was u sed in t hi s amp lifier sy st em . A twost age topology was u sed in or der to achieve high gain and good gain flat ness. A resi st er wa s p ut in series at t he outp ut of t he last st age F E T to make sure t he amp lifier i s st ab