AlN薄膜的研究进展-index清华大学网络资源导航系统.pdfVIP

第 28 卷 　第 1 期 山东陶瓷 Vol 28 　No 1 2005 年 2 月 SHANDON G CERAMICS Feb2005 ( ) ·讲座· 文章编号 2005 AlN 薄膜的研究进展① 杨克涛 ,陈光辉 (南京航空航天大学材料学院 ,南京　210016) 　　摘要 :AlN 薄膜是宽带隙绝缘材料 ,在热、电、光和机械等方面具有非常良好的综合性能。 本文对近些年来 AlN 薄膜的制备方法和性能研究作了简要的回顾介绍 , 阐述了AlN 薄膜的应 用现状及前景。 关键词 :AlN 薄膜 ;制备方法 ;性能 ;应用 中图分类号:TB43 　文献标识码 A 1 　前言 同时希望解决氮化铝薄膜制备过程中的工艺适应 AlN 薄膜属于 Ⅲ- V 族化合物绝缘材料[1 ] , 性问题和成本问题。为了适应这一发展趋势的需 具有 宽 能 隙 直 接 能 带 结 构[2 ] , 禁 带 宽 度 要 ,许多研究人员对 AlN 薄膜的制备技术和性能 E = 62eV[3 ] 。AlN 一般以六方晶系中的纤锌矿 开展了大量的研究工作[1 ,8 ,9 ,1223 ] 。本文对近年来 g 氮化铝薄膜制备技术和性能研究进行简要的回顾 结 构 存 在 , 其 晶 格 常 数 a = 0. 3114nm , 介绍。 c = 04947nm[4 ] 。氮化铝薄膜具有很多优异的物 理化学性质 ,如高的击穿场强、高热导率、高电阻 2 　AlN 薄膜的制备技术 率、高化学和热稳定性[5 ] 以及良好的光学及力学 目前,大多数成膜方法都已应用于 AlN 薄膜 性能[6 ] ,高质量的氮化铝薄膜还具有极高的超声 的制备。其中比较成熟的主要有化学气相沉积法 传输速度、较小的声波损耗、相当大的压电耦合常 [12 ,13 ] [14 ,15 ] ( ) ( ) CVD 、反应分子束外延法 MBE 、等 数[4 ] ,与 Si 、GaAs 相近的热膨胀系数等特点[7 ] 。 [16 ,17 ] ( ) 离子体辅助化学气相沉积法 PACVD 、激光 AlN 独特的性质使它在机械[6 ] 、微电子、光学[8 ] , [18 ] ( )