带电粒子同超晶格的相互作用与系统的混沌行为.pdfVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 #’ ， ， ， Q/+ ( P/ ( )3R #’ （ ） %9$#IJ#’J J#7##9 CKLC BMN1OKC 1OPOKC #’ KS-, ( BSRD ( 1/ ( 带电粒子同超晶格的相互作用与系统的混沌行为! ! 邓成良 邵明珠 罗诗裕 （东莞理工学院电子工程系，东莞 #$%’ ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） # $ % # % %% 把超晶格“折沟道”对粒子的作用等效为形状相似的弱周期调制 利用正弦平方势把粒子运动方程化为具有 ( 外周期弱调制的非线性微分方程，并利用 方法分析了系统出现 马蹄的临界条件 预言了带电粒子 )*+,-./0 123+* ( 同超晶格相互作用过程中，系统可能出现的混沌行为，为半导体超晶格材料的制备和半导体超晶格光磁电效应的 研究提供了基本的理论分析( 关键词：超晶格，非线性，微分方程，混沌 ： ， ， !## ’%4) 56 75 程化为具有外周期弱调制的非线性微分方程，并利 %@ 引 言 用)*+,-./0 方法分析了系统出现123+* 马蹄的临界 条件( 预言了带电粒子同超晶格相互作用过程中， 由于超晶格材料的特殊几何结构，可望得到均 系统可能出现的混沌行为，为半导体超晶格材料的 匀半导体材料所不具有的光电特征 从而引起了人 制备和半导体超晶格光磁电效应的研究提供了基本 ( 们对它的极大兴趣 所谓超晶格就是将两种晶格常 的理论分析( ( 数不同的材料交替生长而成的多层薄膜结构( 比 事实上，在研究超晶格光磁电效应时，可能会遇 如，选择 作基片，沿［ ］方向生长等厚的 到由于混沌引起的噪声问题 如果这个问题存在， A3B % A3B ( 和A3CD B 薄层，由于在生长方向上晶格失配，沿 只需适当调整参数（比如超晶格的层厚或组分等）， % % E ! 生长方向的各层将交替产生伸长和压缩形变，导致 便可以使这种噪声得以消减( （ ）平面沟道扭折，使直沟道变成了锯齿状的“折 %% 沟道”这种沟道的特点是在界面处沟道平面连续， ( # @ 运动方程 一阶导数不存在(