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ASIC取得的进展.ppt
ASIC的功能和设计 4通道two-step前放原理图 瞬态、交流、噪声仿真 幅频响应仿真波形 CMRR、PSRR仿真 性能(负载:2pF) 0.35微米工艺的4通道电压放大器版图 0.35微米工艺的4通道电压放大器版图 * 设计 仿真、 确定MOS管参数 版图设计 验证 DRC/LVS 交付流片 寄生参数提取 随着探测精度要求的提高,探测器单元尺寸不断减小。一种尺寸小、功耗低、集成度高、性能优越的ASIC电子学已经问世了。 实验物理中心开展了ASIC电子学的研究工作。我们设计的第一个0.35um工艺的4通道电压放大器已经送厂流片。 它的设计和制作本身也是高科技技术,必须经过精心考虑、计算,确定与工艺相关的各项参数;通过仿真技术优化各项设计参数;通过版图设计将原理图变为工艺版图;再经过寄生参数提取,仿真验证和设计规则验证。最后交付流片进行制作。 0.31 Noise(uV/sqrt Hz) 50° 相位裕度 125+/71.9- 电源抑制比(dB) 33.7 单位增益带宽(MHz) 9.7 偏置电流(uA) 104 CMRR(dB) 481 静态功耗(uW) -32.5 共模增益(dB) 14.33 Slew Rate(V/us) 71.7 差分增益(dB) *
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