关于曹逊“电阻式随机存储器用多层薄膜结构的电阻转变方式的.docVIP

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2017-09-01 发布于重庆
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关于曹逊“电阻式随机存储器用多层薄膜结构的电阻转变方式的.doc

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关于曹逊“电阻式随机存储器用多层薄膜结构的电阻转变方式的.doc

关于“电阻式随机存储器用多层薄膜结构的电阻转变方式的调控”专利的公示根据上海有关部门2010年非上海生源毕业生申请进沪材料，“毕业生在本人最高学历学习期间获得或申请专利的，须提交专利证书复印件或专利申请受理证明（验原件），并须提供经校级就业主管部门在本校网站上公示无异议的书面证明材料原件”之规定，现将同学的专利情况公示如下：　　中国科学院申请的专利”发明人之一，学号200718004022020。专利材料见附件。　　　　公示时间：2010年月日至2010年月日　　公示期间，如有异议者请与联系。　　联系电话：　　联系人：二〇一〇年月日附件2：