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W-Mo复合离子掺杂VO2薄膜热滞回线的热调制现象.pdf
第28 卷 第5 期 无 机 材 料 学 报 Vol. 28 No. 5
2013 年5 月 Journal of Inorganic Materials May, 2013
文章编号: 1000-324X(2013)05-0497-05 DOI: 10.3724/SP.J.1077.2013.12358
W-Mo 复合离子掺杂 VO2 薄膜热滞回线的热调制现象
张 阳, 黄婉霞, 施奇武, 宋林伟, 徐元杰
(四川大学 材料科学与工程学院, 成都 610064)
摘 要: 以单晶Si (100)为基底, 采用无机溶胶–凝胶法在其表面制备W-Mo 复合离子掺杂VO2 薄膜。采用 SEM、
XRD 等手段分析了薄膜的表面形貌和晶体结构。在热驱动下, 利用原位FTIR 分析了W-Mo 复合离子掺杂VO2 薄
膜半导体–金属相变性能。结果显示: 单晶Si (100)表面VO2 薄膜具有(011)择优生长取向, W6+ 、Mo6+取代了V4+在
晶格中的位置, 实现置换掺杂。热滞回线分析表明, 与未掺杂VO 薄膜相比, V Mo W O 薄膜相变温度降低, 滞
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后温宽减小, 同时相变陡然性变差, 相变温宽增大; 在相变温度区间内, 温度路径对红外透过率具有调制效果, 其
调制作用受原始热滞回线的制约。
关 键 词: 二氧化钒薄膜; 红外光学性能; W-Mo 复合掺杂; 热调制
中图分类号: TG135 文献标识码: A
Thermal Modulation Behavior inside the Hysteresis Loop of W-Mo Co-doping
Vanadium Dioxide Film
ZHANG Yang, HUANG Wan-Xia, SHI Qi-Wu, SONG Lin-Wei, XU Yuan-Jie
(College of Material Science and Engineering, Sichuan University, Chengdu 610064, China)
Abstract: V Mo W O polycrystalline films were deposited on Si (100) substrate by an aqueous Sol-Gel method.
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XRD, SEM were used to detect the morphology and crystal structure of the films. In situ FTIR was carried out to ana-
lyze phase transition properties of the V Mo W O films. The results show that the prepared films are (011) oriented
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