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直流溅射ITO薄膜近期工作总结 TFTSOP 刘洋 材料 溅射类型 编号 Ar：O2 膜厚 （nm） 编号 方阻 （Ω/□） 电阻率 （10-3Ω·CM） ITO RF RFO1 40:0 170.5 RF51 44 0.75 RF52 41.5 RFO2 40:1 131.5 RF61 0.5M 6575/9731 RF62 0.74M RFO3 40:2 85 RF71 12M 102000/45050 RF72 5.3M RFO4 40:3 48.8 RF81 25~50M 122000~244000 RF82 一、实验目的：测量RF溅射不同氧分压对ITO薄膜的特性影响； 制备条件：玻璃基底，靶材成分In2O3：SnO2=90%:10%，基底温度RT，RF溅射功率80W， 工作气压1.0 Pa，真空条件8.7×10-4Pa，Ar:O2=40:0/40:1/40:2/40:3，溅射时间10min； 实验仪器：溅射台，膜厚仪； 实验材料：硅片，1*1CM玻璃片； 实验结果： 氧分压增加，溅射得到ITO氧空位减少，载流子浓度减少，电阻率升高。相比DC溅射，RF溅射ITO薄膜过程中对氧气更敏感。 材料 溅射类型 编号 膜厚 （nm） 电阻率 （10-3Ω·CM） ITO DC 3 ~50 0.892 4 ~100 0.888 5 ~150 0.711 6 ~200 0.672 二、实验目的：测量DC溅射不同厚度对ITO薄膜的特性影响； 制备条件：玻璃基底，靶材成分In2O3：SnO2=90%:10%，基底温度RT，DC溅射功率60W， 工作气压1 Pa，真空条件5.9×10-4 Pa，Ar:O2=40:1； 实验仪器：溅射台，膜厚仪； 实验材料：4inch玻璃片； 实验结果： 直流溅射薄膜厚度增加，电阻率降低，紫外光吸收边随着薄膜厚度的增加而向长波方向移动，载流子对紫外光的吸收增加，即载流子的浓度增加导致。 材料 溅射类型 编号 基底温度（℃） 电阻率 （10-3Ω·CM） ITO DC 11 RT 0.49 12 100 0.65 13 200 0.34 14 300 0.15 三、实验目的：测量DC溅射基底温度对ITO薄膜的特性影响； 制备条件：玻璃基底，靶材成分In2O3：SnO2=90%:10%，基底温度RT/100/200/300℃， DC溅射功率60W，工作气压1 Pa，真空条件9×10-4Pa，Ar:O2=40:1，时间5min， 膜厚120nm~140nm左右； 实验仪器：溅射台，膜厚仪； 实验材料：4inch玻璃片； 实验结果： 温度升高有助于晶粒生长，增加载流子迁移率，提高ITO 薄膜结晶程度，ITO薄膜电阻率降低，透过率降低。紫外光吸收边随着基底温度的升高而向长波方向移动，载流子对紫外光的吸收增加，即载流子的浓度增加。 材料 溅射类型 编号 工作气压（Pa） 电阻率 （10-3Ω·CM） ITO DC 19 0.3 0.49 20 0.5 0.61 21 1.0 1.58 22 1.5 300 四、实验目的：测量DC溅射气压对ITO薄膜的特性影响； 制备条件：玻璃基底，靶材成分In2O3：SnO2=90%:10%，基底温度RT，DC溅射功率60W， 工作气压0.3/0.5/1.0/1.5 Pa，真空条件6×10-4Pa，Ar:O2=40:1，溅射时间5min； 实验仪器：溅射台，膜厚仪； 实验材料：4inch玻璃片； 实验结果： 直流溅射气压增加，电阻率增加，而紫外光吸收边随着工作气压增加并没有发生移动，载流子浓度变化不大，电阻率增加可能由于薄膜表面均方根粗糙度增加，对载流子的散射增加导致。 QA