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光致电化学法提高垂直结构发光二极管出光效率研究.pdfVIP

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光致电化学法提高垂直结构发光二极管出光效率的研究 弓志娜 云峰 丁文 张烨 郭茂峰 刘硕 黄亚平 刘浩 王帅 冯仑刚 王江腾 Increaseinlightextractionefficiencyofverticallightemittingdiodesbyaphoto-electro-chemicaletching method GongZhi-Na YunFeng DingWen ZhangYe GuoMao-Feng LiuShuo HuangYa-Ping LiuHao WangShuai FengLun-Gang WangJiang-Teng 引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,018501(2015) DOI: 10.7498/aps.64.018501 在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.64.018501 当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2015/V64/I1 您可能感兴趣的其他文章 Articlesyoumaybeinterestedin 室内可见光通信发光二极管阵列发射性能的研究 Researchonthelightemittingdiodearraylaunchingperformance for indoor visiblelight communication 物理学报.2014,63(23): 238503 /10.7498/aps.63.238503 基于反应动力学的GaNLED参数退化模型的研究 TheinvestigationofLEDdegradationmodelbasedonthe chemical kinetics 物理学报.2013,62(21): 218503 /10.7498/aps.62.218503 白光发光二级管用红色荧光粉LiSrBO : Eu 的制备与发光性能研究 PreparationandphotoluminescenceofLiSrBO :Eu red-emittingphosphorsforwhiteleds 物理学报.2013,62(10): 108504 /10.7498/aps.62.108504 基于缺陷光子晶体结构的GaN基发光二极管光提取效率的有关研究 Study on the light extraction efficiency of GaN-based light emitting diode by using the defects of the photoniccrystals 物理学报.2012,61(20): 208502 /10.7498/aps.61.208502 渐变型量子阱垒层厚度对GaN基双波长发光二极管发光特性调控的研究 The investigation of performance improvement of GaN-based dual-wavelength light-emitting diodes with variousthicknessofquantumbarriers 物理学报.2012,61(17): 178504 /10.7498/aps.61.178504 物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 64, No. 1 (2015) 018501 光致电化学法提高垂直结构发光二极管 出光效率的研究 弓志娜 云峰 丁文 张烨 郭茂峰 刘硕 黄亚平 刘浩 王帅 冯仑刚 王江腾 1)(西安交通大学, 电子物理与器件教育部重点实验室, 陕西省信息光子技术重点实验室, 西安 710049) 2)(西安交通大学固态照明工程研究中心, 西安 710049) 3)(陕西新光源科技有限责任公司, 西安 710077)

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