700V VDMOS设计.pdfVIP

第 30 卷 　第 2 期 电 子 器 件 Vol. 30 　No . 2 2007 年 4 月 　　　 Ch inese J ou r nal Of Elect ro n D evices 　　 Ap r . 200 7 Design of 700 V VDM O YA N G D on g2l in , U N Wei2f en g , L IU Xi a ( N a t ion a l A I C ys tem Engi ne er i n g Resear c h Center , outh e ast U ni ver si ty , N anj i ng 2 10096 , C hi n a) Abstr act :A 700V V DMO wa s designed . Above of all , t he r elation ship bet ween t h e VDMO st r uct ur e a nd cha racter w as an al yzed . The i nflu ence of EP I 、Pol y CD and Pbo dy Dep t h on BV a nd Rd son w as di scu ssed . Th en an i nitial st ruct ur e w as p r esent ed accor di ng to t he calculation based on t he t heory . Finall y t he ap p r o2 p ria te st ruct u re wa s obt ai ned aft er a serie s o f si mul at io n by which t h e BV a nd Rdson of device wer e op ti2 mized . At t he en d of t hi s p ap er t he differ ence s b et w ee n t h e V DMO i n Pow er IC an d discr ete device w er e me ntioned in desi gn . Key wor ds :V DMO ; br eak down vol ta ge ; sp ecific on2r esist ance ; si mul at io n E EACC :257 0F 700 V VDMO 设 计 杨东林 ,孙伟锋 ,刘 　侠 ( 东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心 , 南京 2100 96) 摘 　要 :主要研究高压 VDMO 器件的设计方法 .理论 分析了 VD MO 结构参数与其 主要性 能的关系 . 按 700V VD MO 器 件击穿电压和导通 电阻的设计要求给出基本 的结构参数 ,并在此基础上通过 数值模拟的方法进行优 化. 重 点讨论外延电阻率 及厚度 ,栅的长度和 PBOD Y 结深对 VD MO 器件 BV 和 Rd son 的影响 , 最终得到了满足器件设计要求的最佳结构参数 . 同时 还分析了集成电路中的 VD MO 与普通分立 VD MO 器件在器件结构设计上的主要差别. 关键词 :V DMO ; 击穿电压 ;特征导通 电阻 ;数值模拟 中图分类号 :TN4 32 　　 文献标识码 :A 　　文章编号 :1005294 90( 20 07) 0 2204 19204 　　功率集成 电路可以应用于白色家 电、电视机 、个 种技术. V DMO 由于具有高输入 阻抗 ,开关速度