2.8 放大电路的频率特性.pptVIP

· · · 式中 为由C2引起的附加相移 · · · · · · 当 即 的影响可以忽略时 知当 时 同理,由 · · · · 故 fL2为仅考虑C2时放大电路的下限截止频率 故 在一般情况下，对整个电路下限截止频率起决定作用的是旁路电容的容量。 由于旁路电容CE折算到基极回路的等效电容为 又由于 3．高频区的频率响应和上限截止频率 + _ T + _ + + + + _ · · · 高频区等效电路 对 密勒等效 . . + e + + _ . _ + _ c _ . . . . · + _ T + _ + + + + _ · · 对输入回路简化、等效 Ci=CM+Cbe . + e + + _ _ + _ c _ . . . . . . + + + _ . _ + _ c _ e . . . . . . 当 时 即实际值比 小3dB ˙ 0 ˙ 实际的幅频曲线 fβ称为晶体管的共射极截止频率 由 可知 ˙ 当f=fβ时 ˙ b. 画相频特性曲线 由相频特性 知 当 ff? (实际只要f0.1f? )时 当 ff? (实际只要f10f? )时 当 f=f? 时 实际上当f=0.1f? 或f=10 f?时 或 画出 的相频特性 ˙ 十倍频 (2) 晶体管特征频率fT 当f=fT时， ˙ 由于 定义 故 即 fT是衡量晶体管高频特性的最常用指标 由 得 f?和fT都与晶体管的静态工作点有关 (3) 晶体管电流放大倍数 ?= ? ( f ) · 可以证明 式中 ?0——晶体管共基极低频电流放大系数 f ?——晶体管共基极截止频率 · 晶体管共基极截止频率 由 与 的关系 通常将 的晶体管称为高频管 将 的晶体管称为低频管 将 代入上式，得 ˙ 晶体管共基极截止频率 特征频率 fβ、fT和f a之间的关系为 (4) fβ、fT和f a的关系 2.8.4 单管共射极放大电路的频率响应 单管共射极放大电路 电路中存在的电容 a. 耦合电容、旁路电容。 b. 结电容、极间电容、分布电容及负载电容等。 + _ T + _ + + + + _ · · · 放大电路频率响应的分析方法 a. 将放大电路分为中频、低频和高频三个工作区域。 b. 分别画出三个区域的微变等效电路。 c. 分别写出电路在三个区域频率响应的表达式。 d. 求出相应的参数Aum、fH和fL。 e. 画出幅频和相频特性曲线。 不同电容对电路性能的影响 a. 耦合电容、旁路电容较大，主要影响电路的低频性能。 b. 结电容、极间电容及分布电容等很小，主要影响电路的高频性能。 + _ T + _ + + + + _ · · · 画各个区域等效电路的原则 a. 低频区 考虑耦合电容、旁路电容的作用。 结电容、极间电容及分布电容视为开路。 b. 中频区 耦合电容、旁路电容视为短路。 结电容、极间电容及分布电容视为开路。 + _ T + _ + + + + _ · · · c. 高频区 耦合电容、旁路电容视为短路。 考虑结电容、极间电容及分布电容的作用。 + _ T + _ + + + + _ · · · 1．中频区的频率响应 中频区微变等效电路 · · · · · · + _ T + _ + + + + _ · · · 忽略RB · · · · · · · · · · · · 对电路进行简化 电压放大倍数 · · · · · · · · · · · · · · · · · 可见,|Aums|及?均与频率f 无关。 · 2．低频区的频率响应和下限截止频率 低频区微变等效电路 + _ T + _ + + + + _ · · · · · · · · · 忽略RB · · · · · · · · · · · · 对电路进行简化与等效 忽略RE(因RE1/?LCE) · · · · · · · · · · · · 将CE等效到输入回路 · · · · · · · · · · · · 将电流源转换为电压源 · · · · · · · · · · · · 将输入回路电容合并 图中 · · · · · · · · · · · · 在输出回路 · · · · 故 · · · · · · · · · 在输入回路 · · · · · · · · · 得低频区放大电路电压放大倍数 由 · · · · · · · 上式中，令 、 分别为输入、输出回路的时间常数。 · · · · · · · · · 令 · · · · · 中频电压放大倍数 式 中 · · · · · 即C