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IGBT吸收电容器
Snubber capacitor for IGBT
外形图 Outline Drawing
图1 (Style 1) 图2(Style 2) 图3(Style 3)
■ 特点 ■ Features
● 广泛应用于高压高频脉冲电路中 ● Widely used in high voltage, high frenquency circuit
● 损耗小，内部温升小 ● Low loss and small inherent temperature rise
● 优异的阻燃性能 ● Exellent active and passive flame resistant circuit
● 适合作为IGBT的吸收电容 ● Epecially designed as snubber capacitor for IGBT
■ 技术要求 Specifications
引用标准Reference Standard
GB/T 14579（IEC 60384-17）
气候类别Climatic Category
40/85/56
额定温度 Rated Temperature
85℃
工作温度范围（外壳）
Operating temperature range(Case)
-40℃~85℃
最高允许环境温度
Max permissible ambient temperature
70℃
额定电压Rated Voltage
630Vd.c～3 000Vd.c
电容量范围Capacitance Range
0.047?F～9.0?F
电容量偏差Capacitance Tolerance
±5%(J), ?10?(K), ±20%(M)
耐电压Voltage Proof
1.6UR（10s）
损耗角正切Dissipation Factor
≤0.0005 (20℃, 1kHz)
绝缘电阻Insulation Resistance
≥100 000M? , CR≤0.33μF
(20℃, 100V,1min)
≥30 000s CR＞0.33μF
产品编码说明Part number system
■18位产品代码如下：
The 18 digits part number is formed as follow:
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18
C
3
8
第1~3位 薄膜电容器系列代码 Digit 1 to 3 Series code of film capacitor
C38 C38
第4~5位 直流额定电压 Digit 4 to 5 D.C. rated voltage
2J=630V 1V=700V 1W=850V 3A=1000V 2J=630V 1V=700V 1W=850V 3A=1000V
3L=1200V 3C=1600V 3D=2000V 3E=2500V 3L=1200V 3C=1600V 3D=2000V 3E=2500V
4Q=3000V 4Q=3000V
第6~8位 标称容量
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