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半导体器件 半导体材料 本征半导体 杂质半导体 N型半导体 P型半导体 杂质对半导体导电性的影响 本节中的相关概念 PN结的形成 PN结的单向导电性 二极管的常见结构及伏安特性 二极管图片1 二极管的伏安特性 二极管主要参数 非线性元件的认识 非线性元件的认识 二极管等效电路 （2）应用图解分析方法 （3）应用简化模型方法 （4）小信号模型 应用举例 本节中的有关概念 稳压二极管 三极管的结构 BJT放大原理 电流分配关系 三种组态 共基放大 共射放大 总结 三极管特性曲线（输入） 绝缘栅型场效应管(MOS管) 思考与习题 各种放大器件电路性能比较 思考与习题 增强型MOS管的基本工作原理：在栅极电压作用下，漏区和源区之间形成导电沟道。在漏极电压作用下，源区电子沿导电沟道行进到漏区，产生自漏极流向源极的电流。改变栅极电压，控制导电沟道的导电能力，使漏极电流发生变化。 与JFET相比，两者结构不同，产生沟道的方式不同。但都是利用沟道导电，且外特性都表现为栅源电压控制漏极电流。 综上分析可知 绝缘栅型场效应管(MOS管) Exit 输出特性 转移特性 3. N沟道增强型MOS管的特性曲线 绝缘栅型场效应管(MOS管) Exit P沟道增强型MOSFET 绝缘栅型场效应管(MOS管) Exit 1.耗尽型制造工艺 N沟道耗尽型MOSFET简介 在氧化层中引入一些金属正离子，或者在半导体表面进行专门的掺杂，可在P型半导体表面形成原始的反型层导电沟道。 绝缘栅型场效应管(MOS管) Exit 2. 导电机理与伏安特性 当加电压VDS后，即使VGS＝0，也存在电流ID。 只有当VGS加反向电压至一定大小，ID=0时，VGS0。伏安特性的变化形式及性质与增强型一样。 N沟道耗尽型MOSFET简介 绝缘栅型场效应管(MOS管) Exit 使用MOSFET中的注意事项 结构上漏极和源极可以互换，前提是衬底有引线引出。 原理上MOSFET是绝缘栅输入结构，没有电荷的泄放通道，极易造成静电击穿。存取时尤须注意。 MOSFET在焊接时，静电击穿的危险更大。所以无论器件内部是否有静电保护，均须接地良好焊接或断电后余热焊接。 绝缘栅型场效应管(MOS管) Exit 习 题 思考题 比较BJT、JFET、MOSFET三类器件的输入电阻大小，原因何在？ P.190-4.3.2 Exit 1. 电路特点 FET的直流偏置电路 ① 栅极只需要偏压，不需要偏流 ② 各类FET的偏置极性区别： N沟道器件加正漏源偏压； P沟道器件加负漏源偏压； 耗尽型器件加反极性栅压； 增强型器件加同极性栅压；　 ③ 采用偏置稳定电路 场效应管放大电路 Exit (1)自偏压电路 (2) 分压式自偏压电路 vGS vGS vGS vGS vGS vGS = - iDR 2. 典型电路 FET的直流偏置电路 场效应管放大电路 图 Exit VGS = VDS = VDD - ID (Rd + R ) - IDR 可解出Q点的VGS 、 ID 、 VDS VP 静态工作点 场效应管放大电路 1. 图解 Exit Q点： VGS 、 ID 、 VDS VGS = VDS = 已知VP ，由 VDD - ID (Rd + R ) - IDR 可解出Q点的VGS 、 ID 、 VDS 2. 计算 静态工作点 场效应管放大电路 Exit 1. FET小信号模型 （1）低频模型 小信号模型分析法 场效应管放大电路 Exit （2）高频模型 1. FET小信号模型 小信号模型分析法 场效应管放大电路 Exit 以上看出，三极管内有两种载流子(自由电子和空穴)参与导电，故称为双极型三极管。或BJT (Bipolar Junction Transistor)。 三极管的结构及类型 Exit 三极管的放大原理归结为： 外部条件：发射结正偏 集电结反偏 内部机制：载流子传输 三极管的工作原理 Exit 发射区：发射载流子（IE） 基 区：载流子复合（IB）与扩散 集电区：收集扩散载流子（InC）并存在反向漂移电流（ICBO） （以NPN为例） 1.内部载流子传输过程 载流子的传输过程 三极管的工作原理 Exit 2. 电流分配关系 根据传输过程可知： IC= InC+ ICBO IB= IB’ - ICBO 通常 ： IC ICBO ? 为电流放大系数，它只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关