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8.5.2 电流分配和放大原理 μA mA mA IB IC IE RB EC + + _ _ EB B C E 3DG6 共发射极接法 8.5.2 电流分配和放大原理 晶体管电流测量数据 IB/mA 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 IC/mA 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 IE/mA 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 由此实验及测量结果可得出如下结论： （1） IE=IC+IB 符合基尔霍夫电流定律。 （2） IE和IC比IB 大的多。 （3）当IB=0（将基极开路）时， IE=ICEO， ICEO0.001mA 用载流子在晶体管内部的运动规律来解释上述结论。 8.5.2 电流分配和放大原理 外部条件：发射结加正向电压；集电结加反向电压。 UBE0,UBC0,UBC=UBE-UCE,UBEUCE RB EC + + _ _ EB E B C N N P 8.5.2 电流分配和放大原理 发射结正偏 扩散强 E区多子（自由电子）到B区 B区多子（空穴）到E区 穿过发射结的电流主要是电子流 形成发射极电流IE IE是由扩散运动形成的 1 发射区向基区扩散电子，形成发射极电流IE。 8.5.2 电流分配和放大原理 2 电子在基区中的扩散与复合，形成基极电流IB E区电子到基区B后，有两种运动 扩散IEC 复合IEB 同时基区中的电子被EB拉走形成 IB IEB=IB时达到动态平衡 形成稳定的基极电流IB IB是由复合运动形成的 RB EC + + _ _ EB E B C 8.5.2 电流分配和放大原理 3 集电极收集电子，形成集电极电流IC 集电结反偏 阻碍C区中的多子（自由电子）扩散，同时收集E区扩散过来的电子 有助于少子的漂移运动，有反向饱和电流ICBO 形成集电极电流IC RB EC + + _ _ EB E B C RB EC + + _ _ EB E B C IC IB IE ICBO IBE IEC 8.5.2 电流分配和放大原理 8.5.3 特性曲线 用来表示该晶体管各极电压和电流之间相互关系、反映晶体管的性能，是分析放大电路的重要依据。 以共发射极接法时的输入特性和输出特性曲线为例。 μA mA V IB IC RB EC + + _ _ EB B C E 3DG6 V + _ + _ UBE UCE 8.5.3 特性曲线 1输入特性曲线： 死区电压： 硅管：0.5伏左右，锗管0.1伏左右。 正常工作时，发射结的压降： NPN型硅管UBE=0.6~0.7V; PNP型锗管UBE=-0.2~-0.3V。 0 0.4 0.8 UBE/V IB/μA 80 60 40 20 UCE1 8.5.3 特性曲线 2 输出特性曲线 晶体管的输出特性曲线是一组曲线。 UCE/V 1 3 4 3 6 9 12 IC/mA 100 80 60 40 20μA IB=0 0 2 8.5.3 特性曲线 晶体管的输出特性曲线分为三个工作区： （1）放大区 （2）截止区 （3）饱和区 （1）放大区（线性区） 1 3 2 4 3 6 9 12 IC/mA 100 80 60 40 20μA IB=0 0 放大区 UCE/V 输出特性曲线的近似水平部分。 发射结处于正向偏置；集电结处于反向偏置 8.5.3 特性曲线 （2）截止区 IB=0曲线以下的区域为截止区 IB=0 时，IC=ICEO〈0.001mA 对NPN型硅管而言，当UBE〈0.5V时，即已开始截止，为了截止可靠，常使UBE小于等于零。 1 3 2 4 3 6 9 12 IC/mA 100 80 60 40 20μA IB=0 0 截止区 UCE/V （3）饱和区 当UCE〈UBE时，集电结处于正向偏置，晶体管工作处于饱和状态 在饱和区，IB的变化对IC的影响较小，两者不成比例 1 3 4 3 6 9 12 IC/mA 100 80 60 40 20μA IB=0 0 2 饱和区 UCE/V 8.5.3 特性曲线 8.5.4 主要参数 1 电流放大系数 ：静态电流（直流）放大系数 ：动态电流（交流）放大系数 注意： 两者的含义是不同的，但在特性曲线近于平行等距并且ICEO较小的情况下，两者数值较为接近。在估算时，常用 近似关系 （1） （2） 对于同一型号的晶体管，