第01章 半导体基础知识.pptVIP

P N N G S D UDS UGS 夹断后，即使UDS 继续增加，ID仍呈恒流特性。 ID UDS 增加，UGD=UGS(th)时，靠近D 端的沟道被夹断，称为预夹断。 设UGS 为一大于UGS(th)的固定值，且 0 UDS UGS - UGS(th)，即 UGD = UGS - UDS UGS(th) UGS(th) 称为开启电压 三、N 沟道增强型 MOS 管的特性曲线 转移特性曲线 0 ID UGS UGS(th) 2UGS(th) IDO 漏极特性曲线 ID U DS 0 UGS0 可变电阻区 恒流区 击穿区 四、 N 沟道耗尽型 MOS 管的特性曲线 耗尽型的 MOS 管在UGS = 0 时就有导电沟道，加反向电压才能夹断。 P N N G S D 预埋了导电沟道 0 ID UGS UGS(off) 转移特性曲线 漏极特性曲线 ID U DS 0 UGS=0 UGS0 UGS0 1.4.3 场效应管的主要参数（自学） 一、直流参数 1．饱和漏极电流 IDSS 2．夹断电压 UGS(off) 3．开启电压 UGS(th) 4．直流输入电阻 RGS 　1．低频跨导 gm 二、交流参数 跨导 gm UGS= 0V U DS （V） ID（mA） 0 1 3 2 4 UGS= +1V UGS= +2V UGS= -1V UGS= -2V = ? ID / ? UGS =（3-2）/（1-0）= 1/1 = 1 mA/V ? UGS ? ID 　2．极间电容（ CGS 、 CGD 、 CDS ） 三、极限参数 1．漏极最大允许耗散功率 PDM 2．漏源击穿电压 U(BR)DS 3．栅源击穿电压 U(BR)GS 二、交流参数 本 章 重 点 （1）二极管的特性曲线，静态电阻，　　　　 动态电阻。 （2）稳压二极管的特性曲线及稳压计算。 （3）晶体管的特性曲线，三个工作区域，　　 电流放大倍数。 （4）场效应管的外特性（转移特性和漏 　　 极特性），跨导。 第一章 结 束 模拟电子技术基础 * * * * * * USB =5V时: 例： ? = 50， USC =12V， RB = 70 k?， RC =6 k? 当USB = -2V，2V，5V时， 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？ IC UCE IB USC RB USB C B E RC UBE IC Icmax(=2 mA)， Q 位于饱和区。(实际上，此时IC和IB 已不是 ? 的关系） 1.3.4 晶体管的主要参数 前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共集接法。 共射直流电流放大倍数： 工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为?IB，相应的集电极电流变化为?IC ，则交流电流放大倍数为： 1. 电流放大倍数和 ? 例：UCE = 6V时：IB = 40 ?A, IC =1.5 mA； IB = 60 ?A, IC =2.3 mA。 在以后的计算中，一般作近似处理：? = 2.集-基极反向饱和电流ICBO ?A ICBO ICBO是集电结反偏由少子的漂移形成的反向电流，受温度的变化影响。 B E C N N P ICBO ICEO= ? IBE+ICBO IBE ? IBE ICBO 进入N 区，形成 IBE。 根据放大关系，由于IBE的存在，必有电流? IBE。 集电结反偏有ICBO 3. 集-射极穿透电流 ICEO ICEO受温度影响很大，当温度上升时，ICEO增加很快，所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。 4.集电极最大允许电流ICM 　　集电极电流 IC上升会导致三极管的 ? 值的下降，当 ? 值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为ICM。 5.集-射极反向击穿电压 　　当集-射极之间的电压UCE 超过一定的数值时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25?C、基极开路时的击穿电压U(BR)CEO 。 6. 集电极最大允许功耗PCM 集电极电流 IC 流过三极管， 因发热而损耗的功率： PC =ICUCE 必定导致结温上升，所以对PC 有限制。 PC ? PCM IC UCE ICUCE=PCM ICM U(BR)CEO 安全工作区 过压区 过损耗区 §1.4 场效应晶体管（FET，单极型晶体管） 　　场效应管与双极型晶体管不同，它是多子导电，输入阻抗高，温度稳定性好。 结型场效应管JFET 绝缘栅型场效应管MOS 场效应管有两种: N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 耗尽型 增强型 耗尽型 增强型 N 基底 ：N型半导体 P P 两边是P+区 G(栅极) S(源极