１２ＧＨｚ的微波电路的研制.pdfVIP

湖南·长沙 12GHz的微波电路的研制 彭力1。赵丽新1。陈惠萍1．冯震2 (1中国华晶电干集团公司掩模工厂，无铸214061 2信息产业部电子第13研究所，石家庄050051) 摘要：利用电子柬研制出0．4,um的掩模版，通过接触光剖，在GaAs片上两次曝光研制出 12GHz的微波器件。 美键词：电子束；曝光；亚微米光刻；单体集成电路；微波器件 1前言 随着现代信息产业的发展t微渡通信中对相关器件的频率要求越来越高，为了满足市场客 户的需求，我们利用各自的优势，合作研制了一系列微波电路，下面就研制过程中所采用的相 关技术作进一步阐述。 2深亚微米栅条的掩模版制作 在微波电路中，频率越高，栅条要求越窄，根据工艺的可能及设备的条件，用电子柬制柞条 宽为0．4／an左右的掩模舨，后遭光刘成0．7～0．8脚的条宽，鉴于此，从数据设计开始，就将 其进行专门分开设计处理，即将栅条与相连的其余部分分开，利用电子束进行分别曝光。 场与工作场的拚接是由工件台完成的，拚接精度±0．15t,m。 电子束工作过程是将数据传输给系统计算机PDPIl／94，计算机将其分成几个部分。一部 分控制工作台，一部分控制柬斑格式等，为了能使栅条制成亚微米，必须将设备的状态调整好， B4是观察图形的均匀性和非旋转状态的电子柬拚接，132054是考虑电子束设备在细条的制作 时，要特别注意，既不能太粗也不可太细，拚接更不能有明显的重叠，见图l。 在设备调整测试正常后，即可制作深亚微米线条，为了消除或减少临近效应，对0．41at-采 用减小单次曝光剂量．增加曝光次数的办法，加强曝光。 版材采用进口溅射铬版，其铬层的致密度和耐蚀性都较好，AZl350光致抗蚀剂分辨宰较 高，经试验，有良好的耐蚀性。 用1-争显影液显影，腐蚀制作出符合下道工序要求0．4tLm条宽的掩模版。 第十届全国电子束离子柬光子柬学术年会 口 0 0 圈1拼接不能有明显重叠 3亚微米单体集成电路的制作 砷化镓微波功率器件和微波功率单片集成电路的制作，首先要解决大面积的均匀性良好 的亚微米制作技术难题，为了达到遣一目的，方法有较多，如：电子束直接曝光技术，x射线曝 光技术，离子束曝光技术，移相掩模技术，接触式曝光技术等，目前国内对于从事研究和小批量 生产，分辨率要求在0．5—1nm以上的微细加工仍较多采用接触式曝光技术，其设备成本低， 工艺简单，下面介绍我们目前采用的双层胶亚微米加工工艺，如图2所示。 PMMA 盅带挈 c山 圈2 图3 3．1利用掩模版作掩蔽．采用405rim紫外光对AZ胶进行曝光 3．2在2号显影液中显影。AZ胶曝光部分被去掉，形成与掩模版几乎同样大小的窗口见图3 3．3利用AZ胶的窗口，采用220nm远肇外光对PMMA胶进行曝光 在3号显影液中显影，PMMA胶曝光部分被去掉，形成与AZ胶宽窗13同样或略大的窗 ——95—— 湖南·长沙 口，见图4。 PMMA 图4 3．4蒸发金属，剽离后形成与掩模版窗口同样大小的亚微米栅电极 从以上的工艺过程中我们可以看出，亚微米栅电极的大小与掩模版的窗口大小，光刻胶厚 度，曝：忙显影等有密切关系，但掩模版窗口的大小起决定性作用，经过各工序的共同努力，终于 制出一系列8GHz一12GHZ的微波功率器件等，见图5。 Lab2 15EV01～lt Lab2 15kVOTdt 20000z卜———————一2岬