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集成技术中心技术报告 电子束曝光技术 中国科学院半导体研究所 半导体集成技术工程研究中心 韩伟华 Email: weihua@semi.ac.cn 提 要 设备的组成、性能及相关工艺设备 电子束曝光设备的操作程序 电子束曝光的关键技术 曝光模板的设计 电子束光刻胶的厚度控制 电子束的聚焦 坐标系的建立与写场对准 纳米套刻技术 电子束扫描方式与曝光 电子束剂量的比较与技术参数 高分辨率的纳米曝光图形的实现 电子束光刻用户的培训 设备的组成与性能 德国EBL Raith150 主要用途 • 量子纳米器件的微结构：如纳米电子器件，AB环 • 集成光学器件：光子晶体, 光栅, 弯曲波导 • NEMS 结构 • 小尺寸的光刻板，如1×1 cm2 • 对应版图进行SEM观察 主要特征 • 电子枪：高分辨率的热场(Schottky)发射源 (尺寸: 20nm) • 束能量可调：200eV-30keV • 图形直写(0.5μm) ：最小线宽分辨率20nm • 写场可调：0.5µm-1000µm • 图形快速生成：10MHz 描写速度 • 晶片支架：1cm2 样片~ 6inch晶片 • 水平控制：三点压电接触( 自动)或6”激光干涉平台(手动) • 双PC机控制系统：曝光与SEM测量 • 图形编辑：GDSII格式，剂量可调 设备的组成 电子束曝光及其相关工艺设备 光刻 衬底 甩胶 衬底 电子束曝光 微米工艺 + 纳米工艺 衬底 电子束套刻 显影 ICP刻蚀 等离子体 衬底 金属 金属蒸发 图形转移 衬底 衬底 去胶 SEM 观察 电子束