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纳米VO2-PEDT复合膜的制备及阻温特性的研究.pdf
第36卷第5期 电子科技大学学报 Vbl36N0．5
2007年lO月 J嗍al oct．2007
ofUniv啪时ofEI鳅眦icsci∞∞柚d蚴nolo科ofcllina
·电子信息材料与器件·
纳米V02／PEDT复合膜的制备及阻温特性的研究
王波，叶芸，曾红娟，吴志明，蒋亚东
《电子科技大学光电信息学院成莓6lO酷q
【摘要】将纳米v02粉体与聚3，4．乙撑二氧噻吩复夸，．J备出一种新型的负电阻温度系数特性的聚合物基复寺材料．通
过计算复合膜简化模型的等效电阻网蝽，蛄果表明串联电阻蛄构有利于复合镬表现出高电阻相二氧化钒的电阻温度特性．同
时，由于掺杂过的vQ=耪体相和聚3，4．乙撑二氧噻吩导电聚合物相的共同作用。这种复合膜的电阻随温度变化量可达到一十
敷量叛以上．最后．蛤出了复合膜的扫描电子显截镜图像姑构．
关键词复合睫；纳来vO‘盔电阻温度系数；秉3．4-乙撑二氧噻吩
中国分类号’rB332：1他11．5 文献标识码A
and Coef丘cientofResistance
PreparationTemperature
Characteristicsof
Nano—V02／PEDT
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