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通过硅烷偶联剂在硅和铟锡氧化物(ITO)表面嫁接寡聚芴分子.pdf
机 No．10
第24卷第10期 无 化 学 学 报 V01．24
2008年10月 CHINFSEJOURNAl．OFINORCANICCHEMISTRY 1596-1603
通过硅烷偶联剂在硅和铟锡氧化物(ITO)表面嫁接寡聚芴分子
段瑜1温贵安I许国勤3黄维★’2
(1复旦大学先进材料研究院，上海200433)
(2江苏省有机电子与平板显示重点实验室南京邮电大学信息材料与纳米技术研究院，南京210003)
(3新加坡国立大学化学系，新加坡119260，新加坡)
方法等的表征证实了通过硅烷偶联剂在硅表面和ITO表嗑f嫁接寡聚芴分子可行性。
关键词：硅；铟锡氧化物；硅烷偶联剂；寡聚芴分子；嫁接
中图分类号：0613．72 文献标识码：A 文章编号：1001-4861(2008)10-1596—08
CovalentAttachmentof ontoSiandIndiumTin
Oligofluorenes Oxide(ITO)
Substrates with
byGraftingOrganosilanes
DUANYulWENGui—AnlXU HUANGWei+。
Guo—Qin3
dvanced
(1Institute Materials似蛳FudanUniversity,鼬彻动应200433)
ofA
Lab dvancedMaterials
qJiangsuKey ofOrganicElectronics＆InformationDisplays，InstituteofA llAMX
and 210003)
NanjingUniversityofPostsTelecommunications(NuPr),Nanjing
1
(3DepartmentofChemistry,NationalUniversityofSingapore，Singapore19260，RepublicofSingapore)
indiumtin with
Abstract：Twomethodsof ontoSiand oxides(ITO)substratesbygrafting
introducingoligofluorenes
asmolecularto
are used bridge
organosilanepresented．The
link ontosiliconandITOsubstrates．Suchsubstrate—based filmswere X—
by
oligofluorenes
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