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陶瓷先驱体聚硅氮烷连接Cf-SiC工艺及连接性能.pdf
第18卷第2期 中国有色金属学报 2008年2月
V01．18No．2 TheChineseJournalofNonferrousMetals Feb．2008
文章编号：1004—0609(2008)02—0278—04
陶瓷先驱体聚硅氮烷连接Cf／SiC工艺及连接性能
刘洪丽，田春英，吴明忠
(佳木斯大学材料科学与工程学院，佳木斯154007)
摘要：采用陶瓷先驱体转化法连接G／SiC复合材料。针对C／SiC复合材料的不同连接界面特性，采用不同的连
接配方和工艺。结果表明：对于第一类以SiC相为主的连接界面，采用单一的聚硅氮烷即可实现C／SiC复合材料
的连接，当连接温度为1300℃，经两次浸渍／裂解增强处理的连接件接头抗剪强度达最大值29．6MEn；连接层厚
度为2～3岫，其结构较为均匀致密，由无定型SiNC陶瓷组成；对于第二类以c纤维端面为主的连接界面，采用
150℃，经两次浸渍／裂解增强处理的连接件
聚硅氮烷并加入活性填料纳米A1粉来实现其连接；当连接温度为1
抗剪强度达最大值22．5MEn；连接层厚度约为30“m，连接层中含有SiC、Si3N4和AIN等相。
关键词：C／SiC复合材料；聚硅氮烷；连接；界面特性
146．4
中图分类号：TG 文献标识码：A
of of via silicone
Cf／SiC
Techniquejoining compositepreceramic
and
joiningproperties
polysilazane
LIU
Hong—li，TIANChun-ying，WUMing—zheng
ofMaterialsScienceand
(School Engineering，JiamusiUniversity，Jiamusi，154007，China)
ofcarbonfiberreinforcedSiC itselfWaSrealizedvia silicone
Abstract：Joining composite(C／SIC)to preceramic
aluminium materials．Thedifferent WaSusedforthe
technology
polysilazane(PSZ)withnanopowders觞joining joining
differentinterfacesof resultsshowthat was bY forthefirst
joining c／sic．The C／SiC joinedusingsinglepolysilazane
maximum ofthe is29．6MPa．Thisvalueis
kind interface SiC．The
ofjoining
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