单晶桂生产工艺.docVIP

单晶工艺 在低于常压的惰性气体环境中，用石墨加热器把填充在石英坩埚内的原料溶化。等溶液温度稳定后籽晶从溶液上方浸入温度受到严格控制的溶液内，引晶后通过一边旋转籽晶一边向上提拉的方式生长出无为错的单晶晶棒。 注意事项及要点： 拆炉清扫 取单晶棒 1.热捡完成后先，停泵后再将主真空泵泄气阀打开方便下炉作业时主泵的正常启动。 2.取单晶时做好防护措施，将专用的防护托架固定于副室之上，下降晶棒，使其与托架接触，但不承重。并且用高温手套扶住，以防晶体晃动撞断籽晶损伤晶体。 3.剪断籽晶时注意将晶体下降到位使籽晶不再吃重的前提下一手握紧锺锤并予以向下的作用力防止锺锤上弹撞击籽晶然后从细颈处剪断，以免籽晶受伤（内裂）而断裂及损坏籽晶绳。 4.籽晶剪下后同钼夹头一起平放在不锈钢盘子里，不能与其它物件混放，防止损伤籽晶。 拆炉 清扫时注意清扫石墨件上的氧化物，检查排气护套、泄气阀是正常，检查石墨中轴螺丝、加热器螺丝松紧度等。 炉压不稳：（常压约为101KPa=760TOrr） 安装稳压罐，氩气进入管的粗细 机械真空不稳 真空管道不通 温度反应快慢：中间保温桶高于加热器 变形：水平度不好；温度 NECK:功率、电流通过C/R调整温度，C/R↑中心温度低；C/R↓中心温度高 煅烧：最少8小时 安装热场 热场布置及石墨件安装 1.红外测温仪与取光孔没有对好（或镜头处有污物和异物），以免温度偏差大，无法正常进入下一工序以确保该工序正常稳定的控制。 2.石墨件安装检查不到位配合不紧密（注意各衔接处的距离）。 a.同心度及圆度不准确，中轴擦到底板或加热器与石墨坩埚相擦，以致液面抖动成晶困难和不良接触以致DC电源打火。 b. 紧固电极镙母时一定要用力均匀不然会造成DC电源打火，后果严重。 3.排气孔没对准，未清理干净，排气不畅以致影响热场温度的不稳定及氧化物的增多影响成晶。必须用手电筒照亮排气口检查通畅状况。 4. 清理过滤筒时一定要严格对应炉号，并且对应的真空泵处于停止状态，然后打开过滤筒顶盖将过滤芯及筒内壁氧化物吸干净以保证下炉真空度及炉压的稳定。 5.检查真空泵油位，及真空泵油使用炉数。低于油位线或达到跟换炉数时及时注油或跟换新油确保机械泵的正常运转。 6.检查冷却水压力是否正常（3~3.5kg/c㎡）水温15 ~ 25℃、氩气压力是否正常（2kg以上） 7.对埚升、埚转、晶转皮带的张力进行确认。大约对皮带中间施加1kg力时，其变形距离在0.5 ~1mm之间使电机转动平稳。 初始化： 初始化没做好以致晶位，埚位及APC无法正常校零〈籽晶夹头必须取掉〉，埚位不可在原点。初始化完成后晶位、埚位及APC应在原点。 初始化时挂钩未去掉或锺锤晃动造成卡勾现象，拉断籽晶绳。 初始化时绿灯亮为正常运行状态，若有黄灯闪烁此初始化无效。 4. 下降籽晶时一定要确定隔离阀处在打开状态不然会使籽晶绳脱槽而乱掉。 5. 拿取锺锤时要确认籽晶升/降动作停止后方可操作，重锤取下后切记不可有升/降动作不然会使籽晶绳失重而脱槽乱掉。 安装硅料 核对配料单的各项内容是否与单晶炉号、配料重量与配料实物一致。 石英坩埚对光确认有无裂纹、污物、气泡、黑点。 确认母合金已放入才可进入下一程序。 热屏吊起后上升过高（上升前检查手脉工作是否正常，确认正常后方可操作，上升时拉速不可超过300mm/min、密切关注一定要目视操作、吊钩与上炉体的间距一般为20-30mm）容易出现卡断吊钩摔碎热屏。 防护不到位装料手法存在弊端，人为将污染物带入炉内使硅料交叉污染。 在石英坩埚高度的1/3以下尽量使硅料采用面接触，料的高度达到石英坩埚的2/3后，尽量使硅料与石英坩埚点接触并确保单颗料重不超过2kg。大块硅料不要装在底部（即底部需要有至少20kg的小料垫底）,严禁“井”字形搭料。装料时要慎重作业，轻拿轻放，防止碰撞石英坩埚，不要使料掉在保温筒的缝隙，以免造成打火。底部以下以面接触，上部以点接触。 装料完成后打开埚转旋转一下，确认上部硅料均已放稳，且石墨坩埚与加热器四周间隙一致，再快速将埚降至下限，停止旋转。 抽真空（PUMP DOWN） 高真空(进入自动) 1.下降炉体不到位(感应器感应不到)以致无法投入自动作业程序。（无法进入自动，显示异常状况为: a.上部/下部/成长腔体限定位置时, 重新升降炉体可解决。 b.炉内真空状态，机器停止状态，上下部压力一至时,这时是上下部压力范围值超过1KP修改上下部压力值大于显示值即可重新投入自动） c.将手动界面的晶升、晶转、埚升、埚转数据输入为0，状态均打入停止状态。 2.如果已下降到位还无法进入自动，显示为炉内真空状态和门夹锁定状态时可按下急停（STOP）按钮进行复位即可。 3. 装好料后先开主真空泵运转（采用点动式）待主泵运转正常后才能开始投入自动并工序开始。 4