ARM物理IP采用Liberty复合电流源（CCS）建模技术.pdf

DESIGN STRATEGIES AND METHODOLOGIES ARM物理IP采用 Liberty复合电流源(CCS)建模技术 以实现更高的精确度并降低设计余量 作 者： V 或T 中间值处的延迟或功耗的唯 足必威体育精装版芯片技术的建模需求。CCS正是 George Mekhtarian， 一方法。但是，延迟或功耗数值的 这一悠久成功历史中的一项必威体育精装版创新。 Synopsys产品经理 线性阶量已经证明并不准确，所以 在用于90纳米及以下芯片技术中的ARM Rob Aitken ，ARM研究员 很少使用。与此相反，由于CCS建 物理IP中采用CCS建模技术正是ARM和 模技术基于电流的特性，从而让 Synopsys的下一步技术合作的目标。在 摘 要： EDA工具能够通过电压或温度的 本文中，我们对Synopsys的下一代CCS 对用于集成电路设计实现和 阶量来进行延迟、信号完整性或 建模解决方案进行了深入透视，这项解 签核的电子设计自动化（EDA）工 功耗分析。经领先半导体提供商 决方案包括了用于时序、噪声和功耗的开 具而言，精确的库模型具有重要 的观察，这种阶量的精度极高，达 放源代码基于电流的库模型。此外，我们 的意义。为确保90 纳米及以下技 ® 还将仔细研究在ARM物理IP中的CCS特 到了HSPICE 仿真的2%以内。正 术结点范围内的高精确度，库模 如其它所有建模技术一样，精确 征提取和运用情况。 型必须能够更为详细地提取单元 度取决于一系列的因素，包括特 解决纳米级设计问题 中复杂的晶体管特征。因此，基于 征提取方法以及CCS模型基于的 广泛应用的非线性延迟和功耗功耗 电流的建模技术被引入并采用，而 样点。 模型(NLDM/NLPM)已经在集成电路设 且成为了用于纳米级时序效应建 计行业使用了近10年。这些模型由多张 模的一种有效方法。但是，由于 通过在S y n o p s y s 的G a l - 提取了每种输入斜率和输出负荷组合的 设计人员希望能够在对自己的设 a x y ™ 设计平台中使用A R M 单元延迟或功耗的表格构成。在90纳米 计进行优化和签核时考虑时序、 CCS技术支持的物理IP，设计人 及以下的制程尺寸上，许多新效果已经 功耗和噪声的因素，单有精确的 员能够利用新的电压阶量和IR压 无法再使用这种方式来建模。下面我们 时序模型还不够。为了在纳米级 降延迟分析能力的优点，以此降