GaInPGaAsGe三结叠层光电池光谱响应的温度特性.pdf

2009 年 第 54 卷 第 1 期 : 16 ~ 20 SCIENCE IN CHINA PRESS GaInP/GaAs/Ge 三结叠层光电池光谱响应的温度特性 , , , , , , 071002; , , 100083 E-mail: lliu@ 2008-07-09 , 2008-10-05 Liu L, Chen N F, Wang Y, et al. Temperature dependent spectral response characteristic of III-V compound tandem cell Chinese Science Bulletin, 2009, 54(3): 353—357, doi: 10.1007/s11434-009-0058-x 要 利用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)制备了转化效率达 27.1%的 GaInP/GaAs/Ge 三结 叠层电池, 并对其光谱响应的温度特性进行了测量研究. 通过光谱响应曲线观察到各子电池的吸收 边随温度升高发生红移, 这主要归因于电池材料禁带宽度的变窄效应. 根据光谱响应数据计算得到 的 GaInP/GaAs/Ge 叠层电池各子电池在室温下的短路电流密度分别为 12.9, 13.7 和 17 mA/cm2, 且 叠层电池的短路电流密度的温度系数为 8.9μ A/(cm2 ·℃). 最后, 根据叠层电池的串联结构推导了其 电压温度系数为-6.27 mV/℃. 20 70 , . , , , Nishioka , III-VI . [1~3] . GaInP/GaAs/Ge , , , GaInP/ , GaAs/Ge , III-VI 240 AM1.5 40.7%[4]. , , . . , , , . , , . 电池的禁带变窄效应也进行了讨论. 1 实验 . , 利用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)技术制 , 备了GaInP/GaAs/Ge三结叠层光电池(5 m