PECVD法低温制备二氧化硅薄膜.pdfVIP

第 11 卷 第 2 期 纳 米 技 术 与 精 密 工 程 Vol. 11 No.2 20 13 年 3 月 Nanotechnology and Precision Engineering Mar. 20 13 Silicon Dioxide Film Deposited by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition at Low Temperature ， ， ， ， ， ， ， ， 1 2 3 1 2 3 1 2 3 1 2 3 Li Dongling ， Shang Zhengguo ， Wen Zhiyu ， Wang Shengqiang （1. Key Laboratory of Fundamental Science on Micro/Nano鄄Device and System Technology ， Chongqing University ， Chongqing 400044 ， China ； 2. National Center for International Research of Micro/Nano鄄System and New Material Technology ， Chongqing University ， Chongqing 400044 ， China ； 3. Microsystem Research Center ， Chongqing University ， Chongqing 400044 ， China ） Abstract ： To meet the demand of inter 鄄metal dielectric （IMD ） layers and micro electro mechanical systems （MEMS ）， silicon dioxide （SiO2 ） films were deposited by plasma enhanced chemical vapor de鄄 position （PECVD ） at low temperature with silane （SiH ） and nitrous oxide （N O ） as precursor gases. 4 2 The ellipsometer and stress measurement system were used to test the thickness ， refractive index ， uni鄄 formity and stress of the SiO2 film fabricated ， and the effects of ratio frequency （RF ） power ， chamber pressure and N2O/SiH4 flow ratio on the properties of