InGaAlP超高亮LED性能及可靠性.pdfVIP

InGaAIP超高亮L印性能及可靠性 郑智斌彭万华 (蠢n羊●电子育■叠■●■t∞lO晦) ■薹本文茫集各厂寡I晒“lP趣i耽L印芯片，并制成器件．对其进行多种性能对比分 析．着重对饱和电流、电耐久性和封装工艺进行探讨．本文对选用趣高亮LED嚣件 有所借鉴． 美t谓：超i蕾亮特性电耐久性饱和电流 K 一、超羽EL印的发光强度与电流的关系 我门对十一种不同厂寡提供的红、黄、黄绿色四元超高亮LED芯片封成o5无色透明 L即，在不同的恒漉条件下进行j去向光强铡试，绘出发光强度与电流的特性曲线(见图l 和图2)．圜l为七种红色芯片绘出的七条特性曲续．图2为三种黄色芯片和一种黄绿色 芯片绘出的四条特性曲线，根据这些曲线，我们进行分析如下： !．超高亮LED的发光强度与电漉的关系是先呈线性关系，而后缓慢递增，逐渐趋向 饱和． 2．红色L￡O发光强度随着电藏的增加而增加的速度较黄色LED喀快，其饱和电流也 较大，约150IA。而黄色LED为l∞吐． 3．附红色LED芯片的性能较差，其发光强度髓着电流的增加而增加的速度明显较低． 且looI^时光叠达到饱和． 4．黄绿色四元L∞片源较少．仅做一家，其发光强度较抵，光强随着电流的增加而 增加。约L∞“时达到饱和． 芯片型号。Rt甩■R，R“b瞳‘艉7 ： 嚣 ≈ 一≈ ；： 雏 ： I 国 ： …’”…”。矗：：省……一……… 圈J 红邑LED发光强度与正向电l癍特性曲线 ·68· 一～百藩琴蘑匪藕嚣■I 鲁。上一R ■■■■■“■●●r●●●It●● …………-_一_w ●■，‘山 瞰■．■邑眦克■虞■蕾一●■■性●■ ． 二、蠢膏矗L匝的电耐久往试藿 毳们对七个厂寡十种红、黄、黄绿色圊元趣高亮L∞芯片封成●警，进行l∞O小时 的重电试验．有些样品是在芷向电漉柏“下进行，有些样叠量在正一电蠢∞“下进}亍． 嫠出相对麓光强度囊通电时间变化特性曲蛀(见薯3～9)。从中获再．丁·■嫱暴妇下； L．^厂素提供的红、黄芯片．在柏“下．其麓光曩度Iv没青什么变化(■示■)； 在∞吐下，其发光强度Iy下降l锻左右(舶3、I示)．此结果与茭■HP公司曩供的夤 辩中Iv下降率量一致的．该样品性I瞻较好． 2．B厂掌提供的红邑苍片．在4“^下道电∞O小盹Iv下降5“左右，至5∞小对． Iv下降9暇以上(图5示)．该样品性麓较差． 3．c厂寡挺供的虹色芯片．发光强度较高．在柏“下，Iv下摔l托左右(■6示)． t．F厂寡据供韵红、霄芯片．在40“下丑电L∞0小时詹，IY下降∞l左右(■7示)： 但在60¨下通电6∞小时后．各有～只f子烧坏开路(圈8示)．面一对撮供的男一种外 莲工艺做的红色样品．在40“下通电IO∞小对后．【v上升20琏右(圈9示)． 5．6厂家提供的黄绿色芯片，在帕I^下适电1000小时，Iv下降l韩左右(蛋示培)． 6．8、c、D、E厂家提供的芯片．当正向电压加上一定筐附近．正向电瀛I．有报大麦 化．I，值来回振荡．尤其是D厂家提供的芯片在恒压条件下．起始电潼为30-^，电迸不 断升高．直到样管烧坏，致使在恒压条件下无法进行长期通电试验．曩