ITO (OLED用）导电玻璃制作方法.doc

加H2镀OLED用ITO导电玻璃 为了解决OLED用ITO导电玻璃表面粗糙度和抛光粉残留影响发光器件的发光效率及其使用寿命，希望直接用真空镀膜工艺得到低粗糙度ITO。在金工的指导下查阅大量资料，做了大量实验初步研究出真空设备直接镀出低粗糙镀ITO，下面是实验内容与结果： 样品号 Ar+O2/ SCCM Ar SCCM H2 SCCM 气压 Pa 速度 HZ 功率 KW 镀膜温度 ℃ 退火温度 电阻 Ω/□ Tr % Ra 备注 (退火 工艺) 1# 85 70 0.58 8×2 3.0 RT 380 26 90 0.36 Ar/O2=200 10 分钟 2# 85 70 0.59 8×2 3.0 RT 380 26 90 0.42 不加气体10分钟 3# 85 70 100 0.85 8×2 3.0 RT 380 25 90 0.30 O2=200 10分钟 4# 85 70 85 0.73 8×2 3.0 RT 380 22 90 0.81 O2=200 10分钟 5# 85 70 85 0.75 8×2 3.0 RT 380 18 90 0.35 不加气体 10分钟 6# 85 70 150 1.13 8×2 3.0 RT 380 19 89 0.45 O2=200 10分钟 以上样品Ra值均达到OLED用ITO玻璃的标准，除4#样品的Ra为0.81稍高以外，其它样品的Ra值均非常理想，可以得出加H2镀膜可以制备出低粗糙度ITO。但也同时出现一个问题，样品电阻偏高，为了降低电阻下面实验是镀复合膜系。样片是先常温镀一层薄膜300埃左右，然后升温到380度再镀1200埃。 样品号 Ar+O2/SCCM Ar SCCM H2 SCCM 气压 Pa 速度 HZ 功率 KW 电阻 Ω/□ 镀膜温度 ℃ Tr % Ra 1#-1 85 70 100 0.58 8X2 0.6 RT 1#-2 85 70 150 1.15 8X2 2.4 15 380 90 0.47 2#-1 85 70 0.60 8X2 0.60 RT 2#-2 85 70 85 0.73 8X2 2.4 16 RT 90 0.45 以上是2007年7月份镀的样品电阻也不是特别理想，我在别的工厂从事真空镀膜时为了提高薄膜质密度，在镀膜工艺里供的O3。能使溅射粒子比不加O3更小，质密度更高，减少膜层表面缺陷。我想再镀ITO时加O3可能有帮助。 以上总结的不好，要向金工和各位同事学习，尽快完善这项技术，使工艺达到大线生产要求。如有别的问题和需要资料请您联系: 深圳南玻 研发中心 王海生 2008-01-08