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硅0——0.5V 三极管：死区电压 电压增大而电流不变 锗0——0.1V 硅：0.7V 门坎电压 电压增大缓慢而电流增大很快 锗：0.3V 反向电流：反向电压 反向特性 最高反电压 反向电压 在反向电压内，电压上升，反向电流不变 当反向击穿时，反向电压不在变化，此时电流很大 当反向电压过高，反向电流增大的很快 半导体：导电能力介于导体和绝缘休之间的物质称为半导体，常用的半导体材料是硅和锗，半导体具有热敏性、光敏性、掺杂性等特殊功能。 本征半导体的定义：纯净的不含任何杂质的半导体称为本征半导体。 热敏性 本征半导体 光敏性 掺杂性 1、掺入3价元素 P 型 2、空穴导电 3、空穴上升、自由电子下降 正电荷、负离子 4、P型带正电荷 杂质半导体 1、掺入5价元素 2、自由电子导电 N型 3、自由电子上升、空穴下降 负电荷、正离子 4、N型带负电荷 变宽 PN结 变窄 本征激发与复合 当温度升高，或受到光的照射等外界激发的条件下，价电子能量增高，有的价电子挣脱原子核的束缚，成为带单位负电荷的自由电子。同时，在原来的共介建位置上留下一个相当于带单位正电荷的空位，称之为空穴。 温度越高，本征激发越激烈，产生的自由电子-空穴对越多，导电能力越强，这就是半导体材料具有热敏性、光敏性的本质原因 半导体具有两种载流子：一种是带负电荷的电子，另一种是带正电荷的空穴 PN结的形成 把同一块半导体的两边分别形成P型半导体和N型半导体，由于交界处两侧半导体类型不同，存在载流子的浓度差。载流子会从浓度高的区域向浓度低的区域运动，这种运动称为扩散运动，扩散运动的结果，在P区和N区的接触面就产生特殊的空间电荷区及正负离子层我们称其为PN结 由于PN结的P区一侧杂质带负电，N区的一侧杂质带正电。从而产生内电的方向是从N区指向P区。内电场对扩散运动起到阻碍作用，电子和空穴的扩散运动随着内电场的加强逐步减弱 扩散运动使空间电荷区逐渐加宽，扩散运动越强，空间电荷区越宽。 内电场超强使漂移运动超强，而漂移运动使空间电荷区变薄 P区接正 正向导通：加上正向电压时，PN结变窄，电阻较小 N区接负 PN结的特征 P区接负 反向截止：加上反向电压时，PN结变宽，电阻较大 N区接正 PN结变窄的原理：当PN结接正向电压时，外电场的能量大大削弱的内电场的能量，P区的正电荷向负极移动，N区的负电荷向正极移动 PN结加宽的原理：当PN结接正向电压时，增强的内电场的能量，扩散的能力加大，使PN结加宽 半导体二极管 正极从P区引出，为阳极；负极从N区引出，为阴极。 锗管 点接触性 按材料分 按结构分 面接触性 硅管 平面性 按用途分：整流管、检波二极管、稳压二极管、光电二极管和开关二极管 死区电压：0.5V[锗管0.3V] 门坎电压：0.7V[锗管0.5V] 当电压在0——0.7V之间，电压增大，而电流不变 正向特性 当电压大于0.7V时，电压缓慢增加，而电流增加的很快[当U较大时，正向电流增加很快，且正向电压随电流增长但增很小，所以在二极管使用时为防止电压过高，需要在电路中串联电阻，防止电流过大] 半导体二极管的伏安特性 反向特性：当反向电压增大到一定数值时，反向电流将随反向电压增加而急剧增大，