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电子技术复习资料 2011.5.15 绪论 1、电子技术由模拟电子技术和数字电子技术组成 2、模拟信号与数字信号的特点: 模拟信号在时间、数值上是连续变化的 数字信号在时间、数值上是不连续变化的,离散的 第14章 半导体器件 导电性介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。半导体导电能力的影响因素有光敏、热敏、掺杂. 本征半导体是指完全纯净的,晶格完整的半导体. 自由电子和空穴的产生原理。 1)价电子在获得一定能量（温度升高或受光照）后，即可挣脱原子核的束缚，成为自由电子（带负电），同时共价键中留下一个空位，称为空穴（带正电）。 2)自由电子和空穴都称为载流子。 3)在半导体中,同时存在电子导电和空穴到导电,这是半导体导电方式的最大特点 本征半导体、N型、P型半导体中自由电子和空穴的数量关系。 在N 型半导体中自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。 在 P 型半导体中空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子。 无论N型或P型半导体都是中性的，对外不显电性。 N型、P型半导体的形成。（掺几价元素？） N型半导体:掺入五价元素, 掺杂后自由电子数目大量增加，自由电子导电成为这种半导体的主要导电方式 P型半导体:掺入三价元素, 掺杂后空穴数目大量增加，空穴导电成为这种半导体的主要导电方式 P8：14.1.1, 14.1.2，14.1.3 PN结定义:通常在一块N型(P型)半导体的局部在掺入三价(五价)杂质,是其变成P型(N型)半导体,在P型半导体和N型半导体的交界面就会形成一个特殊的薄层,成为PN结. 正向、反向偏置及PN结相应特点。 PN 结加正向电压（正向偏置）: PN 结加正向电压时，PN结变窄，正向电流较大，正向电阻较小，PN结处于导通状态。 PN 结加反向电压（反向偏置）: PN 结加反向电压时，PN结变宽，反向电流较小，反向电阻较大，PN结处于截止状态。 二极管伏安特性曲线图（会画、会识别各部分特征）。 二极管的死区电压值、正向压降值（硅、锗）。 死区电压值：硅管0.5V,锗管0.1V。 正向压降值：硅0.6~0.8V锗0.2~0.3V 若干二极管同时连接，谁先导通（看两端电压差，谁高谁先导通） 分析方法：将二极管断开，分析二极管两端电位 的高低或所加电压UD的正负。 若 V阳 V阴或 UD为正( 正向偏置 )，二极管导通 若 V阳 V阴或 UD为负( 反向偏置 )，二极管截止 具体结合电子技术复习资料PPT上的题目复习 稳压二极管在伏安曲线上的工作位置。 稳压管通常工作于反向电击穿区 稳压二极管与普通二极管的区别 1. 稳压管反击曲线比较陡，2. 稳压管反向击穿可逆, 普通二极管不可逆 动态电阻rz与曲线和稳压性能的关系。 rz愈小，曲线愈陡，稳压性能愈好。 P15：例14.1.1 晶体管NPN型的三级、三区、二结，相应表示字母。 集电区N, 发射区N, 基区P 集电极C, 发射极E, 基极B 集电结JC, 发射结JE 晶体管输出特性曲线上的三个区位置，各自形成的条件（双正、双反、一正一反）。 在放大区，发射结处于正向偏置、集电结处于反向偏置，晶体管工作于放大状态。一正一反 在饱和区，发射结处于正向偏置，集电结也处于正偏。双正 在截止区发射结处于反向偏置，集电结处于反向偏置，晶体管工作于截止状态。 光电晶体管集电极电流由入射光照度E控制。 P30:14.3.2（可变换题型）。 P32：14.3.7 放大原理: 把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流 第15章 基本放大电路 图15.1.1共发射极基本交流放大电路（会识图、Ucc和C1、C2的作用）。 集电极电源UCC为电路提供能量。并保证集电结反偏。 耦合电容C1 :隔离放大电路与信号源之间的直流通路 C2:隔离放大电路与负载之间的直流通路。 放大电路的三个主要性能指标。 电压放大倍数Aｕ、输入电阻Rｉ、输出电阻Rｏ 放大电路动态和静态指何种工作状态？静态值求什么？动态值求什么？ 静态 —— 当没有输入信号时电路的工作状态 动态 —— 有输入信号时电路的工作状态 静态值——就是通过放大电路的直流通路求解静态工作点值IB、IC、UCE等。 动态值——就是通过放大电路的交流通路求解Aｕ,Rｉ,Rｏ P39，45-47：图15.1.1所示电路的静态动态分析（会画直流通路、掌握求解方法）。 具体结合电子技术复习资料PPT上的题目复习 晶体管输入电阻的求法。 P39：例15.2.1（会画直流通路、掌握求解方法）。 具体结合电子技术复习资料PPT上的题目复习 非线性失真的定义。两种失真的原因，解决办法。 非线性失真的定义:由于静态工作点不合适或者信号太大,是放大电路的工作范围超出了晶体管特性曲线上的线性范围.